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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRF8915

    IRF8915

    MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO

    Infineon Technologies

    3,941
    RFQ
    IRF8915

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 8.9A 18.3mOhm @ 8.9A, 10V 2.5V @ 250µA 7.4nC @ 4.5V 540pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRFH7911TR2PBF

    IRFH7911TR2PBF

    MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

    Infineon Technologies

    2,300
    RFQ
    IRFH7911TR2PBF

    Tabla de datos

    - 18-PowerVQFN Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 13A, 28A 8.6mOhm @ 12A, 10V 2.35V @ 25µA 12nC @ 4.5V 1060pF @ 15V 2.4W, 3.4W - - - Surface Mount PQFN (5x6)
    IRF7530TR

    IRF7530TR

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8

    Infineon Technologies

    2,391
    RFQ
    IRF7530TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 20V 5.4A 30mOhm @ 5.4A, 4.5V 1.2V @ 250µA 26nC @ 4.5V 1310pF @ 15V 1.3W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
    IRF7509TR

    IRF7509TR

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8

    Infineon Technologies

    3,436
    RFQ
    IRF7509TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 2.7A, 2A 110mOhm @ 1.4A, 10V 1V @ 250µA 12nC @ 10V 210pF @ 25V 1.25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
    IRF7501TR

    IRF7501TR

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8

    Infineon Technologies

    2,508
    RFQ
    IRF7501TR

    Tabla de datos

    - 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.4A 135mOhm @ 1.7A, 4.5V 700mV @ 250µA 8nC @ 4.5V 260pF @ 15V 1.25W - - - Surface Mount Micro8™
    IRF7507TR

    IRF7507TR

    MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8

    Infineon Technologies

    4,208
    RFQ
    IRF7507TR

    Tabla de datos

    - 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 2.4A, 1.7A 140mOhm @ 1.7A, 4.5V 700mV @ 250µA 8nC @ 4.5V 260pF @ 15V 1.25W - - - Surface Mount Micro8™
    IRF7503TR

    IRF7503TR

    MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8

    Infineon Technologies

    2,510
    RFQ
    IRF7503TR

    Tabla de datos

    - 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.4A 135mOhm @ 1.7A, 10V 1V @ 250µA 12nC @ 10V 210pF @ 25V 1.25W - - - Surface Mount Micro8™
    F445MR12W1M1B76BPSA1

    F445MR12W1M1B76BPSA1

    MOSFET 4N-CH 1200V 25A AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    3,446
    RFQ
    F445MR12W1M1B76BPSA1

    Tabla de datos

    EasyPACK™ CoolSiC™ Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1200V (1.2kV) 25A (Tj) 45mOhm @ 25A, 15V 5.55V @ 10mA 62nC @ 15V 1840pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1B-2
    DF23MR12W1M1B11BOMA1

    DF23MR12W1M1B11BOMA1

    MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2

    Infineon Technologies

    4,790
    RFQ
    DF23MR12W1M1B11BOMA1

    Tabla de datos

    - Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 25A 45mOhm @ 25A, 15V 5.5V @ 10mA 620nC @ 15V 2000pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1BM-2
    F423MR12W1M1B76BPSA1

    F423MR12W1M1B76BPSA1

    MOSFET 4N-CH 1200V 45A AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    2,719
    RFQ
    F423MR12W1M1B76BPSA1

    Tabla de datos

    EasyPACK™ CoolSiC™ Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1200V (1.2kV) 45A (Tj) 22.5mOhm @ 50A, 15V 5.55V @ 20mA 124nC @ 15V 3680pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1B-2
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