Sesión o Registro
    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    DF11MR12W1M1B11BOMA1

    DF11MR12W1M1B11BOMA1

    MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2

    Infineon Technologies

    2,474
    RFQ
    DF11MR12W1M1B11BOMA1

    Tabla de datos

    - Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 50A 23mOhm @ 50A, 15V 5.5V @ 20mA 125nC @ 5V 3950pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1BM-2
    FS01MR08A8MA2LBCHPSA1

    FS01MR08A8MA2LBCHPSA1

    MOSFET 6N-CH 750V 620A

    Infineon Technologies

    2,391
    RFQ
    FS01MR08A8MA2LBCHPSA1

    Tabla de datos

    HybridPACK™ Module Box Discontinued at Digi-Key Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel Silicon Carbide (SiC) 750V 620A (Tj) 1.69mOhm @ 620A, 18V 4.55V @ 200mA 1480nC @ 18V 43000pF @ 470V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    IRF7306TR

    IRF7306TR

    MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO

    Infineon Technologies

    2,897
    RFQ
    IRF7306TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 3.6A 100mOhm @ 1.8A, 10V 1V @ 250µA 25nC @ 10V 440pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7389

    IRF7389

    MOSFET N/P-CH 30V 8SO

    Infineon Technologies

    2,451
    RFQ
    IRF7389

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V - 29mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7555TR

    IRF7555TR

    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8

    Infineon Technologies

    4,565
    RFQ
    IRF7555TR

    Tabla de datos

    - 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.3A 55mOhm @ 4.3A, 4.5V 1.2V @ 250µA 15nC @ 5V 1066pF @ 10V 1.25W - - - Surface Mount Micro8™
    IRF5851TR

    IRF5851TR

    MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP

    Infineon Technologies

    3,657
    RFQ
    IRF5851TR

    Tabla de datos

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 2.7A, 2.2A 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 1.25V @ 250µA 6nC @ 4.5V 400pF @ 15V 960mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    IRF7331TR

    IRF7331TR

    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO

    Infineon Technologies

    2,876
    RFQ
    IRF7331TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 7A 30mOhm @ 7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 20nC @ 4.5V 1340pF @ 16V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7335D1TR

    IRF7335D1TR

    MOSFET 2N-CH 30V 10A 14SOIC

    Infineon Technologies

    4,408
    RFQ
    IRF7335D1TR

    Tabla de datos

    FETKY™ 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 30V 10A 17.5mOhm @ 10A, 4.5V 1V @ 250µA 20nC @ 4.5V 1500pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 14-SOIC
    BSD223P

    BSD223P

    MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

    Infineon Technologies

    2,409
    RFQ
    BSD223P

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 390mA 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 1.2V @ 1.5µA 0.62nC @ 4.5V 56pF @ 15V 250mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT363-PO
    BSO203PNTMA1

    BSO203PNTMA1

    MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8DSO

    Infineon Technologies

    2,823
    RFQ
    BSO203PNTMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 8.2A 21mOhm @ 8.2A, 4.5V 1.2V @ 100µA 48.6nC @ 4.5V 2242pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    Total 496 Record«Prev1... 2930313233343536...50Next»
    Correo electrónico
    Lo que contiene
    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Casa

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Productos

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Teléfono

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Usuarios