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    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    Infineon Technologies
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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    DF11MR12W1M1B11BOMA1

    DF11MR12W1M1B11BOMA1

    MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    DF11MR12W1M1B11BOMA1

    Tabla de datos

    - Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 50A 23mOhm @ 50A, 15V 5.5V @ 20mA 125nC @ 5V 3950pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1BM-2
    FS01MR08A8MA2LBCHPSA1

    FS01MR08A8MA2LBCHPSA1

    MOSFET 6N-CH 750V 620A

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    FS01MR08A8MA2LBCHPSA1

    Tabla de datos

    HybridPACK™ Module Box Discontinued at Digi-Key Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel Silicon Carbide (SiC) 750V 620A (Tj) 1.69mOhm @ 620A, 18V 4.55V @ 200mA 1480nC @ 18V 43000pF @ 470V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    IRF7306TR

    IRF7306TR

    MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7306TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 3.6A 100mOhm @ 1.8A, 10V 1V @ 250µA 25nC @ 10V 440pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7389

    IRF7389

    MOSFET N/P-CH 30V 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7389

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V - 29mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7555TR

    IRF7555TR

    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7555TR

    Tabla de datos

    - 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.3A 55mOhm @ 4.3A, 4.5V 1.2V @ 250µA 15nC @ 5V 1066pF @ 10V 1.25W - - - Surface Mount Micro8™
    IRF5851TR

    IRF5851TR

    MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF5851TR

    Tabla de datos

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 2.7A, 2.2A 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 1.25V @ 250µA 6nC @ 4.5V 400pF @ 15V 960mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    IRF7331TR

    IRF7331TR

    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7331TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 7A 30mOhm @ 7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 20nC @ 4.5V 1340pF @ 16V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7335D1TR

    IRF7335D1TR

    MOSFET 2N-CH 30V 10A 14SOIC

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7335D1TR

    Tabla de datos

    FETKY™ 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 30V 10A 17.5mOhm @ 10A, 4.5V 1V @ 250µA 20nC @ 4.5V 1500pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 14-SOIC
    BSD223P

    BSD223P

    MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    BSD223P

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 390mA 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 1.2V @ 1.5µA 0.62nC @ 4.5V 56pF @ 15V 250mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT363-PO
    BSO203PNTMA1

    BSO203PNTMA1

    MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8DSO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    BSO203PNTMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 8.2A 21mOhm @ 8.2A, 4.5V 1.2V @ 100µA 48.6nC @ 4.5V 2242pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
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