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    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    Infineon Technologies
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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    2N7002DWH6327XTSA1

    2N7002DWH6327XTSA1

    MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

    Infineon Technologies

    48,669
    RFQ
    2N7002DWH6327XTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 300mA 3Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.6nC @ 10V 20pF @ 25V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT363-PO
    BSD840NH6327XTSA1

    BSD840NH6327XTSA1

    MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363

    Infineon Technologies

    50,426
    RFQ
    BSD840NH6327XTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 880mA 400mOhm @ 880mA, 2.5V 750mV @ 1.6µA 0.26nC @ 2.5V 78pF @ 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT363-PO
    IRF9389TRPBF

    IRF9389TRPBF

    MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO

    Infineon Technologies

    22,273
    RFQ
    IRF9389TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 6.8A, 4.6A 27mOhm @ 6.8A, 10V 2.3V @ 10µA 14nC @ 10V 398pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRLHS6376TRPBF

    IRLHS6376TRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

    Infineon Technologies

    122,321
    RFQ
    IRLHS6376TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 6-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 3.6A 63mOhm @ 3.4A, 4.5V 1.1V @ 10µA 2.8nC @ 4.5V 270pF @ 25V 1.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-PQFN Dual (2x2)
    IRF7503TRPBF

    IRF7503TRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8

    Infineon Technologies

    87,699
    RFQ
    IRF7503TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.4A 135mOhm @ 1.7A, 10V 1V @ 250µA 12nC @ 10V 210pF @ 25V 1.25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
    IRF7103TRPBF

    IRF7103TRPBF

    MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO

    Infineon Technologies

    7,628
    RFQ
    IRF7103TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 50V 3A 130mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 290pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7509TRPBF

    IRF7509TRPBF

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8

    Infineon Technologies

    1,102
    RFQ
    IRF7509TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 2.7A, 2A 110mOhm @ 1.7A, 10V 1V @ 250µA 12nC @ 10V 210pF @ 25V 1.25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
    IRF7309TRPBF

    IRF7309TRPBF

    MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO

    Infineon Technologies

    17,674
    RFQ
    IRF7309TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 4A, 3A 50mOhm @ 2.4A, 10V 1V @ 250µA 25nC @ 4.5V 520pF @ 15V 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7313TRPBF

    IRF7313TRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO

    Infineon Technologies

    7,155
    RFQ
    IRF7313TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 6.5A 29mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7306TRPBF

    IRF7306TRPBF

    MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO

    Infineon Technologies

    16,544
    RFQ
    IRF7306TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 3.6A 100mOhm @ 1.8A, 10V 1V @ 250µA 25nC @ 10V 440pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
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