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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    BSC072N03LDGATMA1

    BSC072N03LDGATMA1

    MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON

    Infineon Technologies

    3,593
    RFQ
    BSC072N03LDGATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 11.5A 7.2mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 41nC @ 10V 3500pF @ 15V 57W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IRF7106

    IRF7106

    MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO

    Infineon Technologies

    3,838
    RFQ
    IRF7106

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 20V 3A, 2.5A 125mOhm @ 1A, 10V 1V @ 250µA 25nC @ 10V 300pF @ 15V 2W - - - Surface Mount 8-SO
    IRF7752

    IRF7752

    MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    3,911
    RFQ
    IRF7752

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 4.6A 30mOhm @ 4.6A, 10V 2V @ 250µA 9nC @ 4.5V 861pF @ 25V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    AUIRF7342QTR

    AUIRF7342QTR

    MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC

    Infineon Technologies

    4,768
    RFQ
    AUIRF7342QTR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 3.4A 105mOhm @ 3.4A, 10V 3V @ 250µA 38nC @ 10V 690pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
    IRFI4020H-117P

    IRFI4020H-117P

    MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5

    Infineon Technologies

    4,358
    RFQ
    IRFI4020H-117P

    Tabla de datos

    - TO-220-5 Full Pack Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 200V 9.1A 100mOhm @ 5.5A, 10V 4.9V @ 100µA 29nC @ 10V 1240pF @ 25V 21W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-5 Full-Pak
    IRF7328TR

    IRF7328TR

    MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO

    Infineon Technologies

    4,307
    RFQ
    IRF7328TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A 21mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 78nC @ 10V 2675pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7329TR

    IRF7329TR

    MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO

    Infineon Technologies

    3,462
    RFQ
    IRF7329TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 9.2A 17mOhm @ 9.2A, 4.5V 900mV @ 250µA 57nC @ 4.5V 3450pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7314TRPBF

    IRF7314TRPBF

    MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO

    Infineon Technologies

    1
    RFQ
    IRF7314TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 5.3A 58mOhm @ 2.9A, 4.5V 700mV @ 250µA 29nC @ 4.5V 780pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSC750N10NDGATMA1

    BSC750N10NDGATMA1

    MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON

    Infineon Technologies

    4,714
    RFQ
    BSC750N10NDGATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 3.2A 75mOhm @ 13A, 10V 4V @ 12µA 11nC @ 10V 720pF @ 50V 26W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IRF7750TRPBF

    IRF7750TRPBF

    MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    4,560
    RFQ
    IRF7750TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.7A 30mOhm @ 4.7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 39nC @ 5V 1700pF @ 15V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
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