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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    BSO200N03

    BSO200N03

    MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO

    Infineon Technologies

    3,422
    RFQ
    BSO200N03

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6.6A 20mOhm @ 7.9A, 10V 2V @ 13µA 8nC @ 5V 1010pF @ 15V 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    BSO615CGXUMA1

    BSO615CGXUMA1

    MOSFET N/P-CH 60V 3.1A 8DSO

    Infineon Technologies

    2,472
    RFQ
    BSO615CGXUMA1

    Tabla de datos

    SIPMOS® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 60V 3.1A (Ta), 2A (Ta) 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V 2V @ 20µA, 2V @ 450µA 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V 380pF @ 25V, 460pF @ 25V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRFHM8363TR2PBF

    IRFHM8363TR2PBF

    MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

    Infineon Technologies

    3,993
    RFQ
    IRFHM8363TR2PBF

    Tabla de datos

    - 8-PowerVDFN Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 11A 14.9mOhm @ 10A, 10V 2.35V @ 25µA 15nC @ 10V 1165pF @ 10V 2.7W - - - Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
    IRF7750TR

    IRF7750TR

    MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    2,797
    RFQ
    IRF7750TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.7A 30mOhm @ 4.7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 39nC @ 5V 1700pF @ 15V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    IRF7904TRPBF

    IRF7904TRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO

    Infineon Technologies

    3,006
    RFQ
    IRF7904TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 30V 7.6A, 11A 16.2mOhm @ 7.6A, 10V 2.25V @ 25µA 11nC @ 4.5V 910pF @ 15V 1.4W, 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7316TR

    IRF7316TR

    MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO

    Infineon Technologies

    3,834
    RFQ
    IRF7316TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 4.9A 58mOhm @ 4.9A, 10V 1V @ 250µA 34nC @ 10V 710pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7325

    IRF7325

    MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8SO

    Infineon Technologies

    4,467
    RFQ
    IRF7325

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 7.8A 24mOhm @ 7.8A, 4.5V 900mV @ 250µA 33nC @ 4.5V 2020pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7901D1TRPBF

    IRF7901D1TRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO

    Infineon Technologies

    3,254
    RFQ
    IRF7901D1TRPBF

    Tabla de datos

    FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6.2A 38mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 10.5nC @ 5V 780pF @ 16V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7506TR

    IRF7506TR

    MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8

    Infineon Technologies

    4,217
    RFQ
    IRF7506TR

    Tabla de datos

    - 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 1.7A 270mOhm @ 1.2A, 10V 1V @ 250µA 11nC @ 10V 180pF @ 25V 1.25W - - - Surface Mount Micro8™
    IRF7750

    IRF7750

    MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    3,319
    RFQ
    IRF7750

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.7A 30mOhm @ 4.7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 39nC @ 5V 1700pF @ 15V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
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