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    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    BSO4804T

    BSO4804T

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    BSO4804T

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A 20mOhm @ 8A, 10V 2V @ 30µA 17nC @ 5V 870pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRFH4257DTRPBF

    IRFH4257DTRPBF

    MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRFH4257DTRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 25V 25A 3.4mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 35µA 15nC @ 4.5V 1321pF @ 13V 25W, 28W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Dual PQFN (5x4)
    AUIRF7309QTR

    AUIRF7309QTR

    MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    AUIRF7309QTR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 4A, 3A 50mOhm @ 2.4A, 10V 3V @ 250µA 25nC @ 4.5V 520pF @ 15V 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    BSO150N03

    BSO150N03

    MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    BSO150N03

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 7.6A 15mOhm @ 9.1A, 10V 2V @ 25µA 15nC @ 5V 1890pF @ 15V 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRFHM792TR2PBF

    IRFHM792TR2PBF

    MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRFHM792TR2PBF

    Tabla de datos

    - 8-PowerVDFN Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 2.3A 195mOhm @ 2.9A, 10V 4V @ 10µA 6.3nC @ 10V 251pF @ 25V 2.3W - - - Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
    IRF7324

    IRF7324

    MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7324

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 9A 18mOhm @ 9A, 4.5V 1V @ 250µA 63nC @ 5V 2940pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7331

    IRF7331

    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7331

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 7A 30mOhm @ 7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 20nC @ 4.5V 1340pF @ 16V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7379

    IRF7379

    MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7379

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 5.8A, 4.3A 45mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 25nC @ 10V 520pF @ 25V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    AUIRF7343QTR

    AUIRF7343QTR

    MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOIC

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    AUIRF7343QTR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 55V 4.7A, 3.4A 50mOhm @ 4.7A, 10V 1V @ 250µA 36nC @ 10V 740pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRFN8458TR

    AUIRFN8458TR

    MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    AUIRFN8458TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 43A (Tc) 10mOhm @ 26A, 10V 3.9V @ 25µA 33nC @ 10V 1060pF @ 25V 34W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
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