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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    BSO4804

    BSO4804

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO

    Infineon Technologies

    2,789
    RFQ
    BSO4804

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A 20mOhm @ 8A, 10V 2V @ 30µA 17nC @ 5V 870pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRF9956

    IRF9956

    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO

    Infineon Technologies

    4,674
    RFQ
    IRF9956

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 3.5A 100mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF9910

    IRF9910

    MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO

    Infineon Technologies

    3,301
    RFQ
    IRF9910

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 10A, 12A 13.4mOhm @ 10A, 10V 2.55V @ 250µA 11nC @ 4.5V 900pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7751

    IRF7751

    MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    2,641
    RFQ
    IRF7751

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 4.5A 35mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 250µA 44nC @ 10V 1464pF @ 25V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    BSO615CGHUMA1

    BSO615CGHUMA1

    MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO

    Infineon Technologies

    3,307
    RFQ
    BSO615CGHUMA1

    Tabla de datos

    SIPMOS® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 60V 3.1A, 2A 110mOhm @ 3.1A, 10V 2V @ 20µA 22.5nC @ 10V 380pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRF9953

    IRF9953

    MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO

    Infineon Technologies

    2,249
    RFQ
    IRF9953

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.3A 250mOhm @ 1A, 10V 1V @ 250µA 12nC @ 10V 190pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF9952

    IRF9952

    MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

    Infineon Technologies

    2,098
    RFQ
    IRF9952

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 3.5A, 2.3A 100mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSO303PHXUMA1

    BSO303PHXUMA1

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO

    Infineon Technologies

    3,886
    RFQ
    BSO303PHXUMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 7A 21mOhm @ 8.2A, 10V 2V @ 100µA 49nC @ 10V 2678pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRFHM8363TRPBF

    IRFHM8363TRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

    Infineon Technologies

    4,432
    RFQ
    IRFHM8363TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 11A 14.9mOhm @ 10A, 10V 2.35V @ 25µA 15nC @ 10V 1165pF @ 10V 2.7W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
    IPG20N04S409ATMA1

    IPG20N04S409ATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    3,212
    RFQ
    IPG20N04S409ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 20A (Tc) 8.6mOhm @ 17A, 10V 4V @ 22µA 28nC @ 10V 2250pF @ 25V 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8
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