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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRF7380QTRPBF

    IRF7380QTRPBF

    MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO

    Infineon Technologies

    4,767
    RFQ
    IRF7380QTRPBF

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 80V 3.6A 73mOhm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 23nC @ 10V 660pF @ 25V 2W - - - Surface Mount 8-SO
    IRF7756

    IRF7756

    MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    3,666
    RFQ
    IRF7756

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 4.3A 40mOhm @ 4.3A, 4.5V 900mV @ 250µA 18nC @ 4.5V 1400pF @ 10V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    IRF6150

    IRF6150

    MOSFET 2P-CH 20V 7.9A 16FLIPFET

    Infineon Technologies

    3,172
    RFQ
    IRF6150

    Tabla de datos

    HEXFET® 16-WFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 20V 7.9A 36mOhm @ 7.9A, 4.5V 1.2V @ 250µA - - 3W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 16-FlipFet™
    IRF7341QTRPBF

    IRF7341QTRPBF

    MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO

    Infineon Technologies

    2,562
    RFQ
    IRF7341QTRPBF

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 5.1A 50mOhm @ 5.1A, 10V 1V @ 250µA (Min) 44nC @ 10V 780pF @ 25V 2.4W - - - Surface Mount 8-SO
    IRF8313TRPBF

    IRF8313TRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO

    Infineon Technologies

    2,018
    RFQ
    IRF8313TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 9.7A 15.5mOhm @ 9.7A, 10V 2.35V @ 25µA 9nC @ 4.5V 760pF @ 15V 2W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    94-3449

    94-3449

    MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO

    Infineon Technologies

    2,379
    RFQ
    94-3449

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 3.4A 105mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 38nC @ 10V 690pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7343QTRPBF

    IRF7343QTRPBF

    MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO

    Infineon Technologies

    4,706
    RFQ
    IRF7343QTRPBF

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 55V 4.7A, 3.4A 50mOhm @ 4.7A, 10V 1V @ 250µA 36nC @ 10V 740pF @ 25V 2W - - - Surface Mount 8-SO
    IRF7316QTRPBF

    IRF7316QTRPBF

    MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO

    Infineon Technologies

    2,389
    RFQ
    IRF7316QTRPBF

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 4.9A 58mOhm @ 4.9A, 10V 1V @ 250µA 34nC @ 10V 710pF @ 25V 2W - - - Surface Mount 8-SO
    IRF9956TRPBF

    IRF9956TRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO

    Infineon Technologies

    4,478
    RFQ
    IRF9956TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 3.5A 100mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7102

    IRF7102

    MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO

    Infineon Technologies

    4,179
    RFQ
    IRF7102

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 50V 2A 300mOhm @ 1.5A, 10V 3V @ 250µA 6.6nC @ 10V 120pF @ 25V 2W - - - Surface Mount 8-SO
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