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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRF9910TR

    IRF9910TR

    MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO

    Infineon Technologies

    4,612
    RFQ
    IRF9910TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 10A, 12A 13.4mOhm @ 10A, 10V 2.55V @ 250µA 11nC @ 4.5V 900pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSO207PHXUMA1

    BSO207PHXUMA1

    MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO

    Infineon Technologies

    3,591
    RFQ
    BSO207PHXUMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 5A 45mOhm @ 5.7A, 4.5V 1.2V @ 44µA 16nC @ 4.5V 1650pF @ 15V 1.6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRF7304QTRPBF

    IRF7304QTRPBF

    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO

    Infineon Technologies

    4,487
    RFQ
    IRF7304QTRPBF

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.3A 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 700mV @ 250µA 22nC @ 4.5V 610pF @ 15V 2W - - - Surface Mount 8-SO
    AUIRFN8458TRXTMA1

    AUIRFN8458TRXTMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN

    Infineon Technologies

    2,580
    RFQ

    -

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 43A (Tc) 10mOhm @ 26A, 10V 3.9V @ 25µA 33nC @ 10V 2250pF @ 25V 34W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    IRF7530TRPBF

    IRF7530TRPBF

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8

    Infineon Technologies

    3,626
    RFQ
    IRF7530TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 20V 5.4A 30mOhm @ 5.4A, 4.5V 1.2V @ 250µA 26nC @ 4.5V 1310pF @ 15V 1.3W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
    IRFI4019H-117P

    IRFI4019H-117P

    MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5

    Infineon Technologies

    3,262
    RFQ
    IRFI4019H-117P

    Tabla de datos

    - TO-220-5 Full Pack Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 150V 8.7A 95mOhm @ 5.2A, 10V 4.9V @ 50µA 20nC @ 10V 810pF @ 25V 18W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-5 Full-Pak
    IRF7311TRPBF

    IRF7311TRPBF

    MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO

    Infineon Technologies

    2,981
    RFQ
    IRF7311TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 6.6A 29mOhm @ 6A, 4.5V 700mV @ 250µA 27nC @ 4.5V 900pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7507TRPBF

    IRF7507TRPBF

    MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8

    Infineon Technologies

    3,517
    RFQ
    IRF7507TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 2.4A, 1.7A 140mOhm @ 1.7A, 4.5V 700mV @ 250µA 8nC @ 4.5V 260pF @ 15V 1.25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
    IRF9952TR

    IRF9952TR

    MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

    Infineon Technologies

    3,206
    RFQ
    IRF9952TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 3.5A, 2.3A 100mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF9910TRPBF

    IRF9910TRPBF

    MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO

    Infineon Technologies

    2,837
    RFQ
    IRF9910TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 10A, 12A 9.3mOhm @ 12A, 10V 2.55V @ 250µA 11nC @ 4.5V 900pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
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