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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRFI4212H-117P

    IRFI4212H-117P

    MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRFI4212H-117P

    Tabla de datos

    - TO-220-5 Full Pack Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 11A 72.5mOhm @ 6.6A, 10V 5V @ 250µA 18nC @ 10V 490pF @ 50V 18W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-5 Full-Pak
    IRF7325TR

    IRF7325TR

    MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7325TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 7.8A 24mOhm @ 7.8A, 4.5V 900mV @ 250µA 33nC @ 4.5V 2020pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BTS7904BATMA1

    BTS7904BATMA1

    MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    BTS7904BATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 55V, 30V 40A 11.7mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 40µA 121nC @ 10V 6100pF @ 25V 69W, 96W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-5-1
    IRF7304TRPBF

    IRF7304TRPBF

    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7304TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.3A 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 700mV @ 250µA 22nC @ 4.5V 610pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7905TRPBF

    IRF7905TRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7905TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 7.8A, 8.9A 21.8mOhm @ 7.8A, 10V 2.25V @ 25µA 6.9nC @ 4.5V 600pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF8852TRPBF

    IRF8852TRPBF

    MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF8852TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 25V 7.8A 11.3mOhm @ 7.8A, 10V 2.35V @ 25µA 9.5nC @ 4.5V 1151pF @ 20V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    BTS7904SAKSA1

    BTS7904SAKSA1

    MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    BTS7904SAKSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ TO-220-5 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 55V, 30V 40A 12mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 40µA 123nC @ 10V 6100pF @ 25V 69W, 96W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-5-13
    IRF7754

    IRF7754

    MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7754

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 5.5A 25mOhm @ 5.4A, 4.5V 900mV @ 250µA 22nC @ 4.5V 1984pF @ 6V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    IRFHS9351TR2PBF

    IRFHS9351TR2PBF

    MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRFHS9351TR2PBF

    Tabla de datos

    - 6-PowerVDFN Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.3A 170mOhm @ 3.1A, 10V 2.4V @ 10µA 3.7nC @ 10V 160pF @ 25V 1.4W - - - Surface Mount 6-PQFN Dual (2x2)
    BSO612CVGXUMA1

    BSO612CVGXUMA1

    MOSFET N/P-CH 8-SOIC

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    BSO612CVGXUMA1

    Tabla de datos

    * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
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