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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    BSL306NH6327XTSA1

    BSL306NH6327XTSA1

    MOSFET 2N-CH 30V 2.3A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    3,845
    RFQ
    BSL306NH6327XTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 2.3A 57mOhm @ 2.3A, 10V 2V @ 11µA 1.6nC @ 5V 275pF @ 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TSOP6-6
    IRF9956TR

    IRF9956TR

    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO

    Infineon Technologies

    2,492
    RFQ
    IRF9956TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 3.5A 100mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF9953TR

    IRF9953TR

    MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO

    Infineon Technologies

    3,798
    RFQ
    IRF9953TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.3A 250mOhm @ 1A, 10V 1V @ 250µA 12nC @ 10V 190pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSL215PL6327HTSA1

    BSL215PL6327HTSA1

    MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    3,782
    RFQ
    BSL215PL6327HTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 1.5A 150mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 11µA 3.55nC @ 4.5V 346pF @ 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSOP6-6
    IRF5852TRPBF

    IRF5852TRPBF

    MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP

    Infineon Technologies

    4,462
    RFQ
    IRF5852TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.7A 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 1.25V @ 250µA 6nC @ 4.5V 400pF @ 15V 960mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    BSO303PNTMA1

    BSO303PNTMA1

    MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO

    Infineon Technologies

    3,561
    RFQ
    BSO303PNTMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8.2A 21mOhm @ 8.2A, 10V 2V @ 100µA 72.5nC @ 10V 1761pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRF7901D1

    IRF7901D1

    MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO

    Infineon Technologies

    2,637
    RFQ
    IRF7901D1

    Tabla de datos

    FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6.2A 38mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 10.5nC @ 5V 780pF @ 16V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7331TRPBF

    IRF7331TRPBF

    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO

    Infineon Technologies

    3,261
    RFQ
    IRF7331TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 7A 30mOhm @ 7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 20nC @ 4.5V 1340pF @ 16V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7311TR

    IRF7311TR

    MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO

    Infineon Technologies

    2,442
    RFQ
    IRF7311TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 6.6A 29mOhm @ 6A, 4.5V 700mV @ 250µA 27nC @ 4.5V 900pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7501TRPBF

    IRF7501TRPBF

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8

    Infineon Technologies

    2,379
    RFQ
    IRF7501TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.4A 135mOhm @ 1.7A, 4.5V 700mV @ 250µA 8nC @ 4.5V 260pF @ 15V 1.25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
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