Sesión o Registro
    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRF7103Q

    IRF7103Q

    MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO

    Infineon Technologies

    4,267
    RFQ
    IRF7103Q

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 50V 3A 130mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V 255pF @ 25V 2.4W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7751GTRPBF

    IRF7751GTRPBF

    MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    3,219
    RFQ
    IRF7751GTRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 4.5A 35mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 250µA 44nC @ 10V 1464pF @ 25V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    IRF7757TRPBF

    IRF7757TRPBF

    MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    3,823
    RFQ
    IRF7757TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.8A 35mOhm @ 4.8A, 4.5V 1.2V @ 250µA 23nC @ 4.5V 1340pF @ 15V 1.2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    IRF40H233XTMA1

    IRF40H233XTMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 8TDSON

    Infineon Technologies

    3,724
    RFQ
    IRF40H233XTMA1

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V - - - - - - - - - Surface Mount PG-TDSON-8-900
    IRF7901D1TR

    IRF7901D1TR

    MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO

    Infineon Technologies

    2,063
    RFQ
    IRF7901D1TR

    Tabla de datos

    FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6.2A 38mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 10.5nC @ 5V 780pF @ 16V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSL306NL6327HTSA1

    BSL306NL6327HTSA1

    MOSFET 2N-CH 30V 2.3A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    4,436
    RFQ
    BSL306NL6327HTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.3A 57mOhm @ 2.3A, 10V 2V @ 11µA 1.6nC @ 5V 275pF @ 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSOP6-6
    ITD50N04S4L07ATMA1

    ITD50N04S4L07ATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 50A TO252-5

    Infineon Technologies

    4,744
    RFQ
    ITD50N04S4L07ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel, Common Drain Logic Level Gate 40V 50A (Tc) 7.2mOhm @ 50A, 10V 2.2V @ 18µA 33nC @ 10V 2480pF @ 25V 46W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q100 Surface Mount PG-TO252-5-311
    IRF5851

    IRF5851

    MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP

    Infineon Technologies

    4,778
    RFQ
    IRF5851

    Tabla de datos

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 2.7A, 2.2A 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 1.25V @ 250µA 6nC @ 4.5V 400pF @ 15V 960mW - - - Surface Mount 6-TSOP
    IRF5852

    IRF5852

    MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP

    Infineon Technologies

    4,323
    RFQ
    IRF5852

    Tabla de datos

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.7A 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 1.25V @ 250µA 6nC @ 4.5V 400pF @ 15V 960mW - - - Surface Mount 6-TSOP
    IRF5852TR

    IRF5852TR

    MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP

    Infineon Technologies

    2,280
    RFQ
    IRF5852TR

    Tabla de datos

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.7A 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 1.25V @ 250µA 6nC @ 4.5V 400pF @ 15V 960mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    Total 496 Record«Prev1... 1920212223242526...50Next»
    Correo electrónico
    Lo que contiene
    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Casa

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Productos

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Teléfono

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Usuarios