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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRF7103Q

    IRF7103Q

    MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7103Q

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 50V 3A 130mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V 255pF @ 25V 2.4W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7751GTRPBF

    IRF7751GTRPBF

    MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7751GTRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 4.5A 35mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 250µA 44nC @ 10V 1464pF @ 25V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    IRF7757TRPBF

    IRF7757TRPBF

    MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7757TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.8A 35mOhm @ 4.8A, 4.5V 1.2V @ 250µA 23nC @ 4.5V 1340pF @ 15V 1.2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    IRF40H233XTMA1

    IRF40H233XTMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 8TDSON

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF40H233XTMA1

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V - - - - - - - - - Surface Mount PG-TDSON-8-900
    IRF7901D1TR

    IRF7901D1TR

    MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF7901D1TR

    Tabla de datos

    FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6.2A 38mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 10.5nC @ 5V 780pF @ 16V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSL306NL6327HTSA1

    BSL306NL6327HTSA1

    MOSFET 2N-CH 30V 2.3A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    BSL306NL6327HTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.3A 57mOhm @ 2.3A, 10V 2V @ 11µA 1.6nC @ 5V 275pF @ 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSOP6-6
    ITD50N04S4L07ATMA1

    ITD50N04S4L07ATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 50A TO252-5

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    ITD50N04S4L07ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel, Common Drain Logic Level Gate 40V 50A (Tc) 7.2mOhm @ 50A, 10V 2.2V @ 18µA 33nC @ 10V 2480pF @ 25V 46W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q100 Surface Mount PG-TO252-5-311
    IRF5851

    IRF5851

    MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF5851

    Tabla de datos

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 2.7A, 2.2A 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 1.25V @ 250µA 6nC @ 4.5V 400pF @ 15V 960mW - - - Surface Mount 6-TSOP
    IRF5852

    IRF5852

    MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF5852

    Tabla de datos

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.7A 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 1.25V @ 250µA 6nC @ 4.5V 400pF @ 15V 960mW - - - Surface Mount 6-TSOP
    IRF5852TR

    IRF5852TR

    MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF5852TR

    Tabla de datos

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.7A 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 1.25V @ 250µA 6nC @ 4.5V 400pF @ 15V 960mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
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