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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    BSO615CT

    BSO615CT

    MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO

    Infineon Technologies

    3,909
    RFQ
    BSO615CT

    Tabla de datos

    SIPMOS® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 60V 3.1A, 2A 110mOhm @ 3.1A, 10V 2V @ 20µA 22.5nC @ 10V 380pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRF7902TRPBF

    IRF7902TRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SO

    Infineon Technologies

    2,191
    RFQ
    IRF7902TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6.4A, 9.7A 22.6mOhm @ 6.4A, 10V 2.25V @ 25µA 6.9nC @ 4.5V 580pF @ 15V 1.4W, 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSO612CVGHUMA1

    BSO612CVGHUMA1

    MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8DSO

    Infineon Technologies

    4,196
    RFQ
    BSO612CVGHUMA1

    Tabla de datos

    SIPMOS® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 60V 3A, 2A 120mOhm @ 3A, 10V 4V @ 20µA 15.5nC @ 10V 340pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    BSO615NGHUMA1

    BSO615NGHUMA1

    MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO

    Infineon Technologies

    3,480
    RFQ
    BSO615NGHUMA1

    Tabla de datos

    SIPMOS® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 2.6A 150mOhm @ 2.6A, 4.5V 2V @ 20µA 20nC @ 10V 380pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRF7328TRPBFXTMA1

    IRF7328TRPBFXTMA1

    MOSFET 2P-CH 30V 8A 8DSO-902

    Infineon Technologies

    4,723
    RFQ

    -

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 30V 8A (Ta) 21mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 78nC @ 10V 2675pF @ 25V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8-902
    IRF5810

    IRF5810

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP

    Infineon Technologies

    3,014
    RFQ
    IRF5810

    Tabla de datos

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.9A 90mOhm @ 2.9A, 4.5V 1.2V @ 250µA 9.6nC @ 4.5V 650pF @ 16V 960mW - - - Surface Mount 6-TSOP
    IRF7504TR

    IRF7504TR

    MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8

    Infineon Technologies

    2,701
    RFQ
    IRF7504TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 1.7A 270mOhm @ 1.2A, 4.5V 700mV @ 250µA 8.2nC @ 4.5V 240pF @ 15V 1.25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
    IRF5850

    IRF5850

    MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP

    Infineon Technologies

    4,123
    RFQ
    IRF5850

    Tabla de datos

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.2A 135mOhm @ 2.2A, 4.5V 1.2V @ 250µA 5.4nC @ 4.5V 320pF @ 15V 960mW - - - Surface Mount 6-TSOP
    IRF5850TR

    IRF5850TR

    MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP

    Infineon Technologies

    4,417
    RFQ
    IRF5850TR

    Tabla de datos

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.2A 135mOhm @ 2.2A, 4.5V 1.2V @ 250µA 5.4nC @ 4.5V 320pF @ 15V 960mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    IRF5810TR

    IRF5810TR

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP

    Infineon Technologies

    4,716
    RFQ
    IRF5810TR

    Tabla de datos

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.9A 90mOhm @ 2.9A, 4.5V 1.2V @ 250µA 9.6nC @ 4.5V 650pF @ 16V 960mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
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