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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FS03MR12A7MA2BHPSA1

    FS03MR12A7MA2BHPSA1

    MOSFET 6N-CH 1200V 310A

    Infineon Technologies

    4,507
    RFQ
    FS03MR12A7MA2BHPSA1

    Tabla de datos

    HybridPACK™ Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 310A 2.54mOhm @ 310A, 18V 4.55V @ 120mA 870nC @ 18V 25900pF @ 750V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    FF4000UXTR33T2M1BPSA1

    FF4000UXTR33T2M1BPSA1

    XHP HV

    Infineon Technologies

    3,786
    RFQ
    FF4000UXTR33T2M1BPSA1

    Tabla de datos

    XHP™2 Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 3300V (3.3kV) 500A (Tc) 4.8mOhm @ 500A, 15V 5.55V @ 450mA 2500nC @ 15V 101000pF @ 1800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-XHP2K17
    FF2000UXTR33T2M1BPSA1

    FF2000UXTR33T2M1BPSA1

    MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33

    Infineon Technologies

    1
    RFQ
    FF2000UXTR33T2M1BPSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™ Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 3300V (3.3kV) 925A (Tc) 2.4mOhm @ 1kA, 15V 5.55V @ 900mA 5000nC @ 15V 203000pF @ 1.8kV - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-XHP2K33
    IRF9956TRPBFXTMA1

    IRF9956TRPBFXTMA1

    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8DSO-902

    Infineon Technologies

    3,855
    RFQ

    -

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 30V 3.5A (Ta) 100mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8-902
    BSO615N

    BSO615N

    MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO

    Infineon Technologies

    3,766
    RFQ
    BSO615N

    Tabla de datos

    SIPMOS® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 2.6A 150mOhm @ 2.6A, 4.5V 2V @ 20µA 20nC @ 10V 380pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IPG20N04S418AATMA1

    IPG20N04S418AATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    3,113
    RFQ
    IPG20N04S418AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ T2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 20A (Tc) 18.4mOhm @ 17A, 10V 4V @ 8µA 15nC @ 10V 789pF @ 25V 26W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    BSO612CV

    BSO612CV

    MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8DSO

    Infineon Technologies

    4,175
    RFQ
    BSO612CV

    Tabla de datos

    SIPMOS® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 60V 3A, 2A 120mOhm @ 3A, 10V 4V @ 20µA 15.5nC @ 10V 340pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRF7343PBF

    IRF7343PBF

    MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO

    Infineon Technologies

    2,483
    RFQ
    IRF7343PBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 55V 4.7A, 3.4A 50mOhm @ 4.7A, 10V 1V @ 250µA 36nC @ 10V 740pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7757TR

    IRF7757TR

    MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    4,760
    RFQ
    IRF7757TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.8A 35mOhm @ 4.8A, 4.5V 1.2V @ 250µA 23nC @ 4.5V 1340pF @ 15V 1.2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    BSO215C

    BSO215C

    MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SO

    Infineon Technologies

    2,554
    RFQ
    BSO215C

    Tabla de datos

    SIPMOS® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 3.7A 100mOhm @ 3.7A, 10V 2V @ 10µA 11.5nC @ 10V 246pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
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