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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IPW50R140CPFKSA1MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3 Infineon Technologies |
3,092 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 550 V | 23A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 14A, 10V | 3.5V @ 930µA | 64 nC @ 10 V | ±20V | 2540 pF @ 100 V | - | 192W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
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IPP100N18N3GXKSA1N-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
8,500 | - |
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- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IRF6618TRPBFMOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET Infineon Technologies |
2,970 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MT | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 30A (Ta), 170A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.2mOhm @ 30A, 10V | 2.35V @ 250µA | 65 nC @ 4.5 V | ±20V | 5640 pF @ 15 V | - | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MT |
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IRFI4410ZPBFMOSFET N-CH 100V 43A TO220AB FP Infineon Technologies |
522 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 43A (Tc) | 10V | 9.3mOhm @ 26A, 10V | 4V @ 150µA | 110 nC @ 10 V | ±30V | 4910 pF @ 50 V | - | 47W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB Full-Pak |
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IPI11N60C3AAKSA2MOSFET N-CH I2PAK Infineon Technologies |
3,127 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IRFB3407ZPBFMOSFET N-CH 75V 120A TO220AB Infineon Technologies |
964 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 120A (Tc) | 10V | 6.4mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 4750 pF @ 50 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRF135SA204MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7 Infineon Technologies |
2,400 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET®, StrongIRFET™ | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Variant | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 135 V | 160A (Tc) | 10V | 5.9mOhm @ 96A, 10V | 4V @ 250µA | 315 nC @ 10 V | ±20V | 11690 pF @ 50 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK-7 |
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IRLSL4030PBFMOSFET N-CH 100V 180A TO262 Infineon Technologies |
835 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 180A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.3mOhm @ 110A, 10V | 2.5V @ 250µA | 130 nC @ 4.5 V | ±16V | 11360 pF @ 50 V | - | 370W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
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IRFP3415PBFMOSFET N-CH 150V 43A TO247AC Infineon Technologies |
3,355 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-247-3 | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 43A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 22A, 10V | 4V @ 250µA | 200 nC @ 10 V | ±20V | 2400 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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BSC0403NSATMA1150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, Infineon Technologies |
249 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 70A (Tc) | 8V, 10V | 11mOhm @ 35A, 10 | 4.6V @ 91µA | 28 nC @ 10 V | ±20V | 2100 pF @ 75 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-7 |
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