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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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AUIRFR8401TRLMOSFET N-CH 40V 100A DPAK Infineon Technologies |
3,788 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 100A (Tc) | 10V | 4.25mOhm @ 60A, 10V | 3.9V @ 50µA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 2200 pF @ 25 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
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IPC30S2SN08NX2MA1MV POWER MOS Infineon Technologies |
2,732 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IRL3705ZSTRLPBFMOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Infineon Technologies |
1,379 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 4.5V, 10V | 8mOhm @ 52A, 10V | 3V @ 250µA | 60 nC @ 5 V | ±16V | 2880 pF @ 25 V | - | 130W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
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IRL3803PBFMOSFET N-CH 30V 140A TO220AB Infineon Technologies |
2 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 140A (Tc) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 71A, 10V | 1V @ 250µA | 140 nC @ 4.5 V | ±16V | 5000 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IPI040N06N3GXKSA1MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 Infineon Technologies |
500 | - |
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- |
OptiMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 90A (Tc) | 10V | 4mOhm @ 90A, 10V | 4V @ 90µA | 98 nC @ 10 V | ±20V | 11000 pF @ 30 V | - | 188W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3 |
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IPP052N08N5AKSA1MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
3,352 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 80A (Tc) | 6V, 10V | 5.2mOhm @ 80A, 10V | 3.8V @ 66µA | 53 nC @ 10 V | ±20V | 3770 pF @ 40 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
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IRFZ44ZLPBFMOSFET N-CH 55V 51A TO262 Infineon Technologies |
987 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 51A (Tc) | 10V | 13.9mOhm @ 31A, 10V | 4V @ 250µA | 43 nC @ 10 V | ±20V | 1420 pF @ 25 V | - | 80W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
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IPA60R360CFD7XKSA1MOSFET N-CH 650V 5A TO220 Infineon Technologies |
470 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ CFD7 | TO-220-3 Full Pack | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 5A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 2.9A, 10V | 4.5V @ 140µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 679 pF @ 400 V | - | 23W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220 Full Pack |
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IPP024N06N3GXKSA1MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Infineon Technologies |
2,410 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 10V | 2.4mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 196µA | 275 nC @ 10 V | ±20V | 23000 pF @ 30 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
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SPW20N60CFDFKSA1MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 Infineon Technologies |
3,144 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Bulk | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20.7A (Tc) | 10V | 220mOhm @ 13.1A, 10V | 5V @ 1mA | 124 nC @ 10 V | ±20V | 2400 pF @ 25 V | - | 208W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
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