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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRFI4019H-117PXKMA1

    IRFI4019H-117PXKMA1

    MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5

    Infineon Technologies

    363
    RFQ
    IRFI4019H-117PXKMA1

    Tabla de datos

    - TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Tube Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 150V 8.7A (Tc) 95mOhm @ 5.2A, 10V 4.9V @ 50µA 20nC @ 10V 810pF @ 25V 18W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-5 Full-Pak
    IRFH4253DTRPBF

    IRFH4253DTRPBF

    MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN

    Infineon Technologies

    4,687
    RFQ
    IRFH4253DTRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 25V 64A, 145A 3.2mOhm @ 30A, 10V 2.1V @ 35µA 15nC @ 4.5V 1314pF @ 13V 31W, 50W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
    IRFI4020H-117PXKMA1

    IRFI4020H-117PXKMA1

    MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5

    Infineon Technologies

    768
    RFQ
    IRFI4020H-117PXKMA1

    Tabla de datos

    - TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Tube Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 200V 9.1A (Tc) 100mOhm @ 5.5A, 10V 4.9V @ 100µA 29nC @ 10V 1240pF @ 25V 21W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-5 Full-Pak
    ISG0616N10NM5HSCATMA1

    ISG0616N10NM5HSCATMA1

    MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN

    Infineon Technologies

    2,464
    RFQ
    ISG0616N10NM5HSCATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 5 10-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 4mOhm @ 50A, 10V 3.8V @ 85µA 78nC @ 10V 4800pF @ 50V 3W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHITFN-10-1
    FF8MR12W1M1HB11BPSA1

    FF8MR12W1M1HB11BPSA1

    MOSFET 1200V AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    34
    RFQ
    FF8MR12W1M1HB11BPSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) - - 1200V (1.2kV) - - - - - - - - - Chassis Mount AG-EASY1B
    IRFHS9351TRPBF

    IRFHS9351TRPBF

    MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN

    Infineon Technologies

    12,698
    RFQ
    IRFHS9351TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 6-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.3A 170mOhm @ 3.1A, 10V 2.4V @ 10µA 3.7nC @ 10V 160pF @ 25V 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-PQFN Dual (2x2)
    BSC0925NDATMA1

    BSC0925NDATMA1

    MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8

    Infineon Technologies

    8,328
    RFQ
    BSC0925NDATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 30V 15A 5mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 17nC @ 10V 1157pF @ 15V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TISON-8
    IRF7104TRPBF

    IRF7104TRPBF

    MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO

    Infineon Technologies

    1,851
    RFQ
    IRF7104TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.3A 250mOhm @ 1A, 10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V 290pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IPG20N06S2L65ATMA1

    IPG20N06S2L65ATMA1

    MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    26,581
    RFQ
    IPG20N06S2L65ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 20A 65mOhm @ 15A, 10V 2V @ 14µA 12nC @ 10V 410pF @ 25V 43W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IPG20N06S2L65AATMA1

    IPG20N06S2L65AATMA1

    MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    13,698
    RFQ
    IPG20N06S2L65AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 20A 65mOhm @ 15A, 10V 2V @ 14µA 12nC @ 10V 410pF @ 25V 43W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
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