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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IPG20N04S412AATMA1

    IPG20N04S412AATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    28,528
    RFQ
    IPG20N04S412AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 20A 12.2mOhm @ 17A, 10V 4V @ 15µA 18nC @ 10V 1470pF @ 25V 41W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    IPG20N06S4L26AATMA1

    IPG20N06S4L26AATMA1

    MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    4,717
    RFQ
    IPG20N06S4L26AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 20A 26mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 10µA 20nC @ 10V 1430pF @ 25V 33W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    IPG20N06S2L35ATMA1

    IPG20N06S2L35ATMA1

    MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    14,440
    RFQ
    IPG20N06S2L35ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 20A 35mOhm @ 15A, 10V 2V @ 27µA 23nC @ 10V 790pF @ 25V 65W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IPG20N06S2L35AATMA1

    IPG20N06S2L35AATMA1

    MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    14,700
    RFQ
    IPG20N06S2L35AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 20A (Tc) 35mOhm @ 15A, 10V 2V @ 27µA 23nC @ 10V 790pF @ 25V 65W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    IPG20N10S4L35AATMA1

    IPG20N10S4L35AATMA1

    MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    3,095
    RFQ
    IPG20N10S4L35AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 100V 20A 35mOhm @ 17A, 10V 2.1V @ 16µA 17.4nC @ 10V 1105pF @ 25V 43W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    BSC0993NDATMA1

    BSC0993NDATMA1

    MOSFET 2N-CH 17A TISON8

    Infineon Technologies

    5,035
    RFQ
    BSC0993NDATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - - 17A (Ta) 5mOhm @ 7A, 10V 2V @ 250µA - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TISON-8
    BSC0911NDATMA1

    BSC0911NDATMA1

    MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8

    Infineon Technologies

    9,890
    RFQ
    BSC0911NDATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate, 4.5V Drive 25V 18A, 30A 3.2mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 12nC @ 4.5V 1600pF @ 12V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TISON-8
    BSC076N04NDATMA1

    BSC076N04NDATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    4,460
    RFQ
    BSC076N04NDATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ T2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 20A (Tc) 7.6mOhm @ 17A, 10V 4V @ 30µA 38nC @ 10V 2950pF @ 20V 2.3W (Ta), 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IAUC60N04S6L030HATMA1

    IAUC60N04S6L030HATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

    Infineon Technologies

    3,190
    RFQ
    IAUC60N04S6L030HATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 40V 60A (Tj) 3mOhm @ 30A, 10V 2V @ 25µA 35nC @ 10V 2128pF @ 25V 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-56
    BSC0910NDIATMA1

    BSC0910NDIATMA1

    MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8

    Infineon Technologies

    10,482
    RFQ
    BSC0910NDIATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate, 4.5V Drive 25V 11A, 31A 4.6mOhm @ 25A, 10V 2V @ 250µA 6.6nC @ 4.5V 4500pF @ 12V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TISON-8
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