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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRF7342TRPBF

    IRF7342TRPBF

    MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO

    Infineon Technologies

    9,036
    RFQ
    IRF7342TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 3.4A 105mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 38nC @ 10V 690pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IPG20N10S436AATMA1

    IPG20N10S436AATMA1

    MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    66,308
    RFQ
    IPG20N10S436AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 20A 36mOhm @ 17A, 10V 3.5V @ 16µA 15nC @ 10V 990pF @ 25V 43W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    BSC112N06LDATMA1

    BSC112N06LDATMA1

    MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    7,482
    RFQ
    BSC112N06LDATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ T2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 20A (Tc) 11.2mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 28µA 55nC @ 10V 4020pF @ 30V 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IAUC60N04S6N031HATMA1

    IAUC60N04S6N031HATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

    Infineon Technologies

    7,146
    RFQ
    IAUC60N04S6N031HATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 40V 60A (Tj) 3.1mOhm @ 30A, 10V 3V @ 25µA 30nC @ 10V 1922pF @ 25V 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-56
    IRF7351TRPBF

    IRF7351TRPBF

    MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

    Infineon Technologies

    27,053
    RFQ
    IRF7351TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 8A 17.8mOhm @ 8A, 10V 4V @ 50µA 36nC @ 10V 1330pF @ 30V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IPG20N10S4L22ATMA1

    IPG20N10S4L22ATMA1

    MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    16,793
    RFQ
    IPG20N10S4L22ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 100V 20A 22mOhm @ 17A, 10V 2.1V @ 25µA 27nC @ 10V 1755pF @ 25V 60W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IRF7341GTRPBF

    IRF7341GTRPBF

    MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO

    Infineon Technologies

    9,716
    RFQ
    IRF7341GTRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 55V 5.1A 50mOhm @ 5.1A, 10V 1V @ 250µA (Min) 44nC @ 10V 780pF @ 25V 2.4W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSG0811NDATMA1

    BSG0811NDATMA1

    MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8

    Infineon Technologies

    6,082
    RFQ
    BSG0811NDATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate, 4.5V Drive 25V 19A, 41A 3mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 8.4nC @ 4.5V 1100pF @ 12V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TISON-8
    BSD223PH6327XTSA1

    BSD223PH6327XTSA1

    MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

    Infineon Technologies

    15,906
    RFQ
    BSD223PH6327XTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 390mA 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 1.2V @ 1.5µA 0.62nC @ 4.5V 56pF @ 15V 250mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT363-6-1
    BSD235NH6327XTSA1

    BSD235NH6327XTSA1

    MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363

    Infineon Technologies

    53,649
    RFQ
    BSD235NH6327XTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 2 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 950mA 350mOhm @ 950mA, 4.5V 1.2V @ 1.6µA 0.32nC @ 4.5V 63pF @ 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-SOT363-PO
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