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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    BSC0924NDIATMA1

    BSC0924NDIATMA1

    MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

    Infineon Technologies

    74,634
    RFQ
    BSC0924NDIATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 17A, 32A 5mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 10nC @ 4.5V 1160pF @ 15V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TISON-8
    IAUC60N04S6N050HATMA1

    IAUC60N04S6N050HATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

    Infineon Technologies

    731
    RFQ
    IAUC60N04S6N050HATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 40V 60A (Tj) 5mOhm @ 30A, 10V 3V @ 13µA 17nC @ 10V 1027pF @ 25V 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-57
    BSC0923NDIATMA1

    BSC0923NDIATMA1

    MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

    Infineon Technologies

    4,089
    RFQ
    BSC0923NDIATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 17A, 32A 5mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 10nC @ 4.5V 1160pF @ 15V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TISON-8
    IPG20N06S415ATMA2

    IPG20N06S415ATMA2

    MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    3,573
    RFQ
    IPG20N06S415ATMA2

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 20A 15.5mOhm @ 17A, 10V 4V @ 20µA 29nC @ 10V 2260pF @ 25V 50W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IPG20N06S4L14AATMA1

    IPG20N06S4L14AATMA1

    MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    29,812
    RFQ
    IPG20N06S4L14AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 20A 13.7mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 20µA 39nC @ 10V 2890pF @ 25V 50W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    IPG20N04S408ATMA1

    IPG20N04S408ATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    13,439
    RFQ
    IPG20N04S408ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 20A 7.6mOhm @ 17A, 10V 4V @ 30µA 36nC @ 10V 2940pF @ 25V 65W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    BSC155N06NDATMA1

    BSC155N06NDATMA1

    MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    7,129
    RFQ
    BSC155N06NDATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ T2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 20A (Tc) 15.5mOhm @ 17A, 10V 4V @ 20µA 29nC @ 10V 2250pF @ 30V 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IPG20N06S4L11ATMA2

    IPG20N06S4L11ATMA2

    MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    41,669
    RFQ
    IPG20N06S4L11ATMA2

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 20A (Tc) 11.2mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 28µA 53nC @ 10V 4020pF @ 25V 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    IPG20N10S4L22AATMA1

    IPG20N10S4L22AATMA1

    MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    21,565
    RFQ
    IPG20N10S4L22AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 100V 20A 22mOhm @ 17A, 10V 2.1V @ 25µA 27nC @ 10V 1755pF @ 25V 60W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    BSG0810NDIATMA1

    BSG0810NDIATMA1

    MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A TISON8

    Infineon Technologies

    7,490
    RFQ
    BSG0810NDIATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate, 4.5V Drive 25V 19A, 39A 3mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 8.4nC @ 4.5V 1040pF @ 12V 2.5W -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount PG-TISON-8
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