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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    BSD235CH6327XTSA1

    BSD235CH6327XTSA1

    MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363

    Infineon Technologies

    23,455
    RFQ
    BSD235CH6327XTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 950mA, 530mA 350mOhm @ 950mA, 4.5V 1.2V @ 1.6µA 0.34nC @ 4.5V 47pF @ 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT363-6-1
    BSL316CH6327XTSA1

    BSL316CH6327XTSA1

    MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    88,510
    RFQ
    BSL316CH6327XTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Complementary Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 1.4A, 1.5A 160mOhm @ 1.4A, 10V 2V @ 3.7µA 0.6nC @ 5V 282pF @ 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TSOP6-6
    BSL215CH6327XTSA1

    BSL215CH6327XTSA1

    MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    6,433
    RFQ
    BSL215CH6327XTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Complementary Logic Level Gate, 2.5V Drive 20V 1.5A 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 3.7µA 0.73nC @ 4.5V 143pF @ 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TSOP6-6
    BSL308PEH6327XTSA1

    BSL308PEH6327XTSA1

    MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    14,492
    RFQ
    BSL308PEH6327XTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 2A 80mOhm @ 2A, 10V 1V @ 11µA 5nC @ 10V 500pF @ 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TSOP6-6
    BSL308CH6327XTSA1

    BSL308CH6327XTSA1

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    13,856
    RFQ
    BSL308CH6327XTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Complementary Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 2.3A, 2A 57mOhm @ 2.3A, 10V 2V @ 11µA 1.5nC @ 10V 275pF @ 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TSOP6-6
    IRF7105TRPBF

    IRF7105TRPBF

    MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO

    Infineon Technologies

    10,112
    RFQ
    IRF7105TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 25V 3.5A, 2.3A 100mOhm @ 1A, 10V 3V @ 250µA 27nC @ 10V 330pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7103TRPBFXTMA1

    IRF7103TRPBFXTMA1

    MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902

    Infineon Technologies

    3,034
    RFQ
    IRF7103TRPBFXTMA1

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 50V 3A (Ta) 130mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 290pF @ 25V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8-902
    IRF9952TRPBF

    IRF9952TRPBF

    MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

    Infineon Technologies

    10,207
    RFQ
    IRF9952TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 3.5A, 2.3A 100mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7313TRPBFXTMA1

    IRF7313TRPBFXTMA1

    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902

    Infineon Technologies

    5,818
    RFQ
    IRF7313TRPBFXTMA1

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 30V 6.5A (Ta) 29mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8-902
    BSO220N03MDGXUMA1

    BSO220N03MDGXUMA1

    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO

    Infineon Technologies

    14,130
    RFQ
    BSO220N03MDGXUMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6A 22mOhm @ 7.7A, 10V 2.1V @ 250µA 10nC @ 10V 800pF @ 15V 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
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