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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    ISA250300C04LMDSXTMA1

    ISA250300C04LMDSXTMA1

    ISA250300C04LMDSXTMA1

    Infineon Technologies

    500
    RFQ
    ISA250300C04LMDSXTMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 40V 5.9A (Ta), 7.9A (Tc), 5.8A (Ta), 7.8A (Tc) 25mOhm @ 7.9A, 10V, 30mOhm @ 7.8A, 10V 2.7V @ 1mA 11.9nC @ 10V 1600pF @ 20V 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8-920
    ISA250250N04LMDSXTMA1

    ISA250250N04LMDSXTMA1

    ISA250250N04LMDSXTMA1

    Infineon Technologies

    498
    RFQ
    ISA250250N04LMDSXTMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel Logic Level Gate 40V 5.9A (Ta), 7.9A (Tc) 25mOhm @ 7.9A, 10V 2.7V @ 1mA 11.9nC @ 10V 720pF @ 20V 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8-920
    IAUCN10S5L280DATMA1

    IAUCN10S5L280DATMA1

    MOSFET 2N-CH 100V 23A 8TDSON

    Infineon Technologies

    4,990
    RFQ

    -

    OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 100V 23A (Tj) 28mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 10µA 10nC @ 10V 690pF @ 10V 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-61
    IPG20N04S4L18AATMA1

    IPG20N04S4L18AATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    4,690
    RFQ
    IPG20N04S4L18AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ T2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 20A (Tc) 18mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 8µA 15nC @ 10V 1071pF @ 25V 26W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    IRF7303TRPBFXTMA1

    IRF7303TRPBFXTMA1

    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902

    Infineon Technologies

    10,710
    RFQ
    IRF7303TRPBFXTMA1

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 30V 4.9A (Ta) 50mOhm @ 2.4A, 10V 1V @ 250µA 25nC @ 10V 520pF @ 25V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8-902
    IPG16N10S461AATMA1

    IPG16N10S461AATMA1

    MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON

    Infineon Technologies

    8,755
    RFQ
    IPG16N10S461AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 16A 61mOhm @ 16A, 10V 3.5V @ 9µA 7nC @ 10V 490pF @ 25V 29W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    ISA170230C04LMDSXTMA1

    ISA170230C04LMDSXTMA1

    ISA170230C04LMDSXTMA1

    Infineon Technologies

    500
    RFQ
    ISA170230C04LMDSXTMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 40V 7.2A (Ta), 9.6A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc) 17mOhm @ 9.6A, 10V, 23mOhm @ 8.8A, 10V 2.7V @ 1mA 19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V 1100pF @ 20V, 2500pF @ 20V 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8-920
    ISA170170N04LMDSXTMA1

    ISA170170N04LMDSXTMA1

    ISA170170N04LMDSXTMA1

    Infineon Technologies

    500
    RFQ
    ISA170170N04LMDSXTMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel Logic Level Gate 40V 7.2A (Ta), 9.6A (Tc) 17mOhm @ 9.6A, 10V 2.7V @ 1mA 19.5nC @ 10V 1100pF @ 20V 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8-920
    IPG20N06S2L50ATMA1

    IPG20N06S2L50ATMA1

    MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    9,954
    RFQ
    IPG20N06S2L50ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 20A 50mOhm @ 15A, 10V 2V @ 19µA 17nC @ 10V 560pF @ 25V 51W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IPG20N06S2L50AATMA1

    IPG20N06S2L50AATMA1

    MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    5,000
    RFQ
    IPG20N06S2L50AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 20A 50mOhm @ 15A, 10V 2V @ 19µA 17nC @ 10V 560pF @ 25V 51W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
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