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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRF9362TRPBF

    IRF9362TRPBF

    MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO

    Infineon Technologies

    47,470
    RFQ
    IRF9362TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A 21mOhm @ 8A, 10V 2.4V @ 25µA 39nC @ 10V 1300pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSC150N03LDGATMA1

    BSC150N03LDGATMA1

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON

    Infineon Technologies

    46,097
    RFQ
    BSC150N03LDGATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A 15mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 13.2nC @ 10V 1100pF @ 15V 26W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IRF7303TRPBF

    IRF7303TRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO

    Infineon Technologies

    3,293
    RFQ
    IRF7303TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 4.9A 50mOhm @ 2.4A, 10V 1V @ 250µA 25nC @ 10V 520pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRL6372TRPBF

    IRL6372TRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

    Infineon Technologies

    12,134
    RFQ
    IRL6372TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8.1A 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V 1.1V @ 10µA 11nC @ 4.5V 1020pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7380TRPBF

    IRF7380TRPBF

    MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO

    Infineon Technologies

    2,049
    RFQ
    IRF7380TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 80V 3.6A 73mOhm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 23nC @ 10V 660pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IPG20N06S4L26ATMA1

    IPG20N06S4L26ATMA1

    MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    16,128
    RFQ
    IPG20N06S4L26ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 20A 26mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 10µA 20nC @ 10V 1430pF @ 25V 33W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    BSO150N03MDGXUMA1

    BSO150N03MDGXUMA1

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO

    Infineon Technologies

    24,711
    RFQ
    BSO150N03MDGXUMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A 15mOhm @ 9.3A, 10V 2V @ 250µA 17nC @ 10V 1300pF @ 15V 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRF7319TRPBF

    IRF7319TRPBF

    MOSFET N/P-CH 30V 8SO

    Infineon Technologies

    17,830
    RFQ
    IRF7319TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V - 29mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSZ15DC02KDHXTMA1

    BSZ15DC02KDHXTMA1

    MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON

    Infineon Technologies

    15,560
    RFQ
    BSZ15DC02KDHXTMA1

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Complementary Logic Level Gate, 2.5V Drive 20V 5.1A, 3.2A 55mOhm @ 5.1A, 4.5V 1.4V @ 110µA 2.8nC @ 4.5V 419pF @ 10V 2.5W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
    IRF7329TRPBF

    IRF7329TRPBF

    MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO

    Infineon Technologies

    18,592
    RFQ
    IRF7329TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 9.2A 17mOhm @ 9.2A, 4.5V 900mV @ 250µA 57nC @ 4.5V 3450pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
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