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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FF6MR12W2M1HB11BPSA1

    FF6MR12W2M1HB11BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 145A MODULE

    Infineon Technologies

    18
    RFQ
    FF6MR12W2M1HB11BPSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 145A (Tj) 5.4mOhm @ 150A, 18V 5.15V @ 60mA 446nC @ 18V 13200pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    FS13MR12W2M1HPB11BPSA1

    FS13MR12W2M1HPB11BPSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    18
    RFQ
    FS13MR12W2M1HPB11BPSA1

    Tabla de datos

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

    FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2B

    Infineon Technologies

    17
    RFQ
    FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 170A 4mOhm @ 200A, 18V 5.15V @ 80mA 594nC @ 18V 17600pF @ 800V 20mW -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY2B
    F411MR12W2M1HPB76BPSA1

    F411MR12W2M1HPB76BPSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    9
    RFQ
    F411MR12W2M1HPB76BPSA1

    Tabla de datos

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FF6MR12KM1HPHPSA1

    FF6MR12KM1HPHPSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    10
    RFQ
    FF6MR12KM1HPHPSA1

    Tabla de datos

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FF6MR20W2M1HB70BPSA1

    FF6MR20W2M1HB70BPSA1

    FF6MR20W2M1HB70BPSA1

    Infineon Technologies

    15
    RFQ
    FF6MR20W2M1HB70BPSA1

    Tabla de datos

    EasyPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 2000V (2kV) 160A (Tj) 8.1mOhm @ 160A, 18V 5.15V @ 112mA 780nC @ 3V 24100pF @ 1.2kV - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

    F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

    F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

    Infineon Technologies

    15
    RFQ
    F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

    Tabla de datos

    EasyPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel Silicon Carbide (SiC) 2000V (2kV) 155A (Tj) 8.7mOhm @ 100A, 18V 5.15V @ 112mA 297nC @ 18V 24100pF @ 1.2kV - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    FF3MR12KM1HHPSA1

    FF3MR12KM1HHPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB

    Infineon Technologies

    19
    RFQ
    FF3MR12KM1HHPSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™ Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 190A (Tc) 4.44mOhm @ 280A, 18V 5.1V @ 112mA 800nC @ 18V 24200pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MMHB
    FF3MR12KM1HPHPSA1

    FF3MR12KM1HPHPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 220A AG62MMHB

    Infineon Technologies

    13
    RFQ
    FF3MR12KM1HPHPSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™ Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 220A 4.44mOhm @ 280A, 18V 5.1V @ 112mA 800nC @ 18V 24200pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MMHB
    FF5MR20KM1HHPSA1

    FF5MR20KM1HHPSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    9
    RFQ
    FF5MR20KM1HHPSA1

    Tabla de datos

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
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