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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FF33MR12W1M1HB11BPSA1

    FF33MR12W1M1HB11BPSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    23
    RFQ
    FF33MR12W1M1HB11BPSA1

    Tabla de datos

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
    DF14MR12W1M1HFB67BPSA1

    DF14MR12W1M1HFB67BPSA1

    MOSFET 1200V AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    24
    RFQ
    DF14MR12W1M1HFB67BPSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) - - 1200V (1.2kV) - - - - - - - - - Chassis Mount AG-EASY1B
    FF11MR12W2M1HPB11BPSA1

    FF11MR12W2M1HPB11BPSA1

    MOSFET 1200V

    Infineon Technologies

    18
    RFQ
    FF11MR12W2M1HPB11BPSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™ - Tray Active - - - 1200V (1.2kV) - - - - - - - - - - -
    FF17MR12W1M1HPB11BPSA1

    FF17MR12W1M1HPB11BPSA1

    MOSFET 1200V AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    24
    RFQ
    FF17MR12W1M1HPB11BPSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) - - 1200V (1.2kV) - - - - - - - - - Chassis Mount AG-EASY1B
    DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

    DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    22
    RFQ
    DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

    Tabla de datos

    EasyPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 1200V (1.2kV) 45A 16.2mOhm @ 50A, 18V 5.15V @ 20mA 149nC @ 18V 4400pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1B
    FF17MR12W1M1HB70BPSA1

    FF17MR12W1M1HB70BPSA1

    MOSFET 1200V AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    13
    RFQ
    FF17MR12W1M1HB70BPSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) - - 1200V (1.2kV) - - - - - - - - - Chassis Mount AG-EASY1B
    FF17MR12W1M1HB17BPSA1

    FF17MR12W1M1HB17BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 50A AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    24
    RFQ

    -

    CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 16.2mOhm @ 50A, 18V 5.15V @ 20mA 149nC @ 18V 4400pF @ 800V 20mW -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1B
    FF8MR12W1M1HB70BPSA1

    FF8MR12W1M1HB70BPSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    20
    RFQ
    FF8MR12W1M1HB70BPSA1

    Tabla de datos

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FF7MR12W1M1HB17BPSA1

    FF7MR12W1M1HB17BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    24
    RFQ

    -

    CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 105A (Tj) 5.8mOhm @ 120A, 18V 5.15V @ 56mA 400nC @ 18V 12100pF @ 800V 20mW -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1B
    FF6MR12W2M1HPB11BPSA1

    FF6MR12W2M1HPB11BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE

    Infineon Technologies

    18
    RFQ
    FF6MR12W2M1HPB11BPSA1

    Tabla de datos

    HEXFET® Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 1200V (1.2kV) 200A (Tj) 5.63mOhm @ 200A, 15V 5.55V @ 80mA 496nC @ 15V 14700pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
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