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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    ISG0613N04NM6HATMA1

    ISG0613N04NM6HATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN

    Infineon Technologies

    3,000
    RFQ
    ISG0613N04NM6HATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 6 10-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 0.88mOhm @ 50A, 10V 2.8V @ 780µA 104nC @ 10V 6200pF @ 20V 3W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-VITFN-10-1
    ISG0614N06NM5HATMA1

    ISG0614N06NM5HATMA1

    MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN

    Infineon Technologies

    2,976
    RFQ
    ISG0614N06NM5HATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 5 10-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 1.6mOhm @ 50A, 10V 3.3V @ 86µA 102nC @ 10V 6400pF @ 30V 3W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-VITFN-10-1
    ISG0613N04NM6HSCATMA1

    ISG0613N04NM6HSCATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN

    Infineon Technologies

    2,990
    RFQ
    ISG0613N04NM6HSCATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 6 10-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 0.88mOhm @ 50A, 10V 2.8V @ 780µA 104nC @ 10V 6200pF @ 20V 3W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHITFN-10-1
    ISG0614N06NM5HSCATMA1

    ISG0614N06NM5HSCATMA1

    MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN

    Infineon Technologies

    2,990
    RFQ
    ISG0614N06NM5HSCATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 5 10-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 1.6mOhm @ 50A, 10V 3.3V @ 86µA 102nC @ 10V 6400pF @ 30V 3W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHITFN-10-1
    IAUTN08S5N012LATMA1

    IAUTN08S5N012LATMA1

    MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF

    Infineon Technologies

    1,956
    RFQ
    IAUTN08S5N012LATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 5 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel, Common Drain, Common Source - 80V 300A (Tj) 1.15mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 275µA 24nC @ 10V 15340pF @ 40V 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOF-8-2
    F435MR07W1D7S8B11ABPSA1

    F435MR07W1D7S8B11ABPSA1

    MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE

    Infineon Technologies

    42
    RFQ
    F435MR07W1D7S8B11ABPSA1

    Tabla de datos

    EasyPACK™ 1B Module Tray Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) - 650V 35A 39.4mOhm @ 35A, 10V 4.45V @ 1.74mA 141nC @ 10V 6950pF @ 400V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    FF33MR12W1M1HPB11BPSA1

    FF33MR12W1M1HPB11BPSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    30
    RFQ
    FF33MR12W1M1HPB11BPSA1

    Tabla de datos

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
    DF11MR12W1M1HFB67BPSA1

    DF11MR12W1M1HFB67BPSA1

    MOSFET 1200V AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    38
    RFQ
    DF11MR12W1M1HFB67BPSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) - - 1200V (1.2kV) - - - - - - - - - Chassis Mount AG-EASY1B
    BSO211PHXUMA1

    BSO211PHXUMA1

    MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

    Infineon Technologies

    3,637
    RFQ
    BSO211PHXUMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4A 67mOhm @ 4.6A, 4.5V 1.2V @ 25µA 10nC @ 4.5V 1095pF @ 15V 1.6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRF7316GTRPBF

    IRF7316GTRPBF

    MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO

    Infineon Technologies

    2,290
    RFQ
    IRF7316GTRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 4.9A 58mOhm @ 4.9A, 10V 1V @ 250µA 34nC @ 10V 710pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
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