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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    AUIRF7103QTR

    AUIRF7103QTR

    MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC

    Infineon Technologies

    3,345
    RFQ
    AUIRF7103QTR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 50V 3A 130mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V 255pF @ 25V 2.4W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
    IRF8915TRPBF

    IRF8915TRPBF

    MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO

    Infineon Technologies

    3,116
    RFQ
    IRF8915TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 8.9A 18.3mOhm @ 8.9A, 10V 2.5V @ 250µA 7.4nC @ 4.5V 540pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSO604NS2XUMA1

    BSO604NS2XUMA1

    MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO

    Infineon Technologies

    2,540
    RFQ
    BSO604NS2XUMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 5A 35mOhm @ 2.5A, 10V 2V @ 30µA 26nC @ 10V 870pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRF8910TRPBFXTMA1

    IRF8910TRPBFXTMA1

    MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902

    Infineon Technologies

    3,993
    RFQ
    IRF8910TRPBFXTMA1

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 20V 10A (Ta) 13.4mOhm @ 10A, 10V 2.55V @ 250µA 11nC @ 4.5V 960pF @ 10V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8-902
    IRF8910TRPBF

    IRF8910TRPBF

    MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO

    Infineon Technologies

    7,440
    RFQ
    IRF8910TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 10A 13.4mOhm @ 10A, 10V 2.55V @ 250µA 11nC @ 4.5V 960pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSO203PHXUMA1

    BSO203PHXUMA1

    MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO

    Infineon Technologies

    4,745
    RFQ
    BSO203PHXUMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 7A 21mOhm @ 8.2A, 4.5V 1.2V @ 100µA 39nC @ 4.5V 3750pF @ 15V 1.6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    BSO615NGXUMA1

    BSO615NGXUMA1

    MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO

    Infineon Technologies

    2,155
    RFQ
    BSO615NGXUMA1

    Tabla de datos

    SIPMOS® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 2.6A 150mOhm @ 2.6A, 4.5V 2V @ 20µA 20nC @ 10V 380pF @ 25V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-DSO-8
    IRF7317TRPBF

    IRF7317TRPBF

    MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO

    Infineon Technologies

    7,835
    RFQ
    IRF7317TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 6.6A, 5.3A 29mOhm @ 6A, 4.5V 700mV @ 250µA 27nC @ 4.5V 900pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSO350N03

    BSO350N03

    MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO

    Infineon Technologies

    2,302
    RFQ
    BSO350N03

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 5A 35mOhm @ 6A, 10V 2V @ 6µA 3.7nC @ 5V 480pF @ 15V 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IPG16N10S461ATMA1

    IPG16N10S461ATMA1

    MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON

    Infineon Technologies

    4,315
    RFQ
    IPG16N10S461ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 16A 61mOhm @ 16A, 10V 3.5V @ 9µA 7nC @ 10V 490pF @ 25V 29W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-4
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