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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FF11MR12W1M1PB11BPSA1

    FF11MR12W1M1PB11BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    53
    RFQ
    FF11MR12W1M1PB11BPSA1

    Tabla de datos

    EasyDUAL™ Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 100A (Tj) 11.3mOhm @ 100A, 15V 5.55V @ 40mA 248nC @ 15V 7360pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1B-2
    FF6MR12KM1BOSA1

    FF6MR12KM1BOSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM

    Infineon Technologies

    2,958
    RFQ
    FF6MR12KM1BOSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™ Module Bulk Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 250A (Tc) 5.81mOhm @ 250A, 15V 5.15V @ 80mA 496nC @ 15V 14700pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MM
    BSO4804HUMA2

    BSO4804HUMA2

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO

    Infineon Technologies

    4,038
    RFQ
    BSO4804HUMA2

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A (Ta) 20mOhm @ 8A, 10V 2V @ 30µA 17nC @ 5V 870pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRF6802SDTRPBF

    IRF6802SDTRPBF

    IRF6802 - 12V-300V N-CHANNEL POW

    Infineon Technologies

    4,800
    RFQ
    IRF6802SDTRPBF

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FD1400R12IP4DBOSA1

    FD1400R12IP4DBOSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    76
    RFQ
    FD1400R12IP4DBOSA1

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

    FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2

    Infineon Technologies

    8
    RFQ
    FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 150A (Tj) 9.8mOhm @ 150A, 15V 5.55V @ 90mA 450nC @ 15V 16000pF @ 600V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1BM-2
    FF2MR12KM1HPHPSA1

    FF2MR12KM1HPHPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V AG-62MMHB

    Infineon Technologies

    8
    RFQ
    FF2MR12KM1HPHPSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 500A (Tc) 2.13mOhm @ 500A, 15V 5.15V @ 224mA 1340nC @ 15V 39700pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MMHB
    FF4MR20KM1HHPSA1

    FF4MR20KM1HHPSA1

    MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB

    Infineon Technologies

    11
    RFQ
    FF4MR20KM1HHPSA1

    Tabla de datos

    C Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 2000V (2kV) 280A (Tc) 5.3mOhm @ 300A, 18V 5.15V @ 168mA 1170nC @ 18V 36100pF @ 1.2kV - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MMHB
    FS05MR12A6MA1BBPSA1

    FS05MR12A6MA1BBPSA1

    MOSFET 1200V 200A AG-HYBRIDD

    Infineon Technologies

    9
    RFQ
    FS05MR12A6MA1BBPSA1

    Tabla de datos

    HybridPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) - - 1200V (1.2kV) 200A - - - - - - - - Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
    FS03MR12A6MA1BBPSA1

    FS03MR12A6MA1BBPSA1

    MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD

    Infineon Technologies

    7
    RFQ
    FS03MR12A6MA1BBPSA1

    Tabla de datos

    HybridPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 400A (Tj) 3.7mOhm @ 400A, 15V 5.55V @ 240mA 1320nC @ 15V 42500pF @ 600V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
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