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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IPG20N06S415AATMA1

    IPG20N06S415AATMA1

    MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    2
    RFQ
    IPG20N06S415AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 20A 15.5mOhm @ 17A, 10V 4V @ 20µA 29nC @ 10V 2260pF @ 25V 50W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    IPG20N04S408BATMA1

    IPG20N04S408BATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    4,668
    RFQ
    IPG20N04S408BATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ T2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 20A (Tc) 7.6mOhm @ 17A, 10V 4V @ 30µA 36nC @ 10V 2940pF @ 25V 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    IPG20N04S408AATMA1

    IPG20N04S408AATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    4,071
    RFQ
    IPG20N04S408AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 20A 7.6mOhm @ 17A, 10V 4V @ 30µA 36nC @ 10V 2940pF @ 25V 65W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    AUIRFN8459TR

    AUIRFN8459TR

    MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN

    Infineon Technologies

    10,414
    RFQ
    AUIRFN8459TR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 50A 5.9mOhm @ 40A, 10V 3.9V @ 50µA 60nC @ 10V 2250pF @ 25V 50W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
    IRF3546MTRPBF

    IRF3546MTRPBF

    MOSFET 4N-CH 25V 16A 41QFN

    Infineon Technologies

    2,210
    RFQ
    IRF3546MTRPBF

    Tabla de datos

    - 41-PowerVFQFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel Logic Level Gate 25V 16A (Tc), 20A (Tc) 3.9mOhm @ 27A, 10V 2.1V @ 35µA 15nC @ 4.5V 1310pF @ 13V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 41-PQFN (6x8)
    AUIRF7316QTR

    AUIRF7316QTR

    MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC

    Infineon Technologies

    298
    RFQ
    AUIRF7316QTR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V - 58mOhm @ 4.9A, 10V 3V @ 250µA 34nC @ 10V 710pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FF45MR12W1M1B11BOMA1

    FF45MR12W1M1B11BOMA1

    MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2

    Infineon Technologies

    4,918
    RFQ
    FF45MR12W1M1B11BOMA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™+ Module Bulk Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 25A (Tj) 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) 5.55V @ 10mA 62nC @ 15V 1840pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1BM-2
    DF23MR12W1M1PB11BPSA1

    DF23MR12W1M1PB11BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 25A AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    24
    RFQ
    DF23MR12W1M1PB11BPSA1

    Tabla de datos

    EasyPACK™ Module Bulk Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 25A (Tj) 45mOhm @ 25A, 15V 5.55V @ 10mA 62nC @ 15V 1840pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1B-2
    FF23MR12W1M1B11BOMA1

    FF23MR12W1M1B11BOMA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 50A MODULE

    Infineon Technologies

    246
    RFQ
    FF23MR12W1M1B11BOMA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™+ Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 50A 23mOhm @ 50A, 15V 5.55V @ 20mA 125nC @ 15V 3950pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    FS45MR12W1M1B11BOMA1

    FS45MR12W1M1B11BOMA1

    MOSFET 6N-CH 1200V AG-EASY1BM-2

    Infineon Technologies

    101
    RFQ
    FS45MR12W1M1B11BOMA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™+ Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 25A (Tj) 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) 5.55V @ 10mA 62nC @ 15V 1840pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1BM-2
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