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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IRF9952TRPBFXTMA1PLANAR 40<-<100V Infineon Technologies |
2,971 | - |
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- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPS70R900P7SAKMA1MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3 Infineon Technologies |
3,788 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ P7 | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 6A (Tc) | 10V | 900mOhm @ 1.1A, 10V | 3.5V @ 60µA | 6.8 nC @ 10 V | ±16V | 211 pF @ 400 V | - | 30.5W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3 |
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BSS138N-E6327MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies |
4,722 | - |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 230mA (Ta) | 4.5V, 10V | 3.5Ohm @ 230mA, 10V | 1.4V @ 250µA | 1.4 nC @ 10 V | ±20V | 41 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT23 |
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BSS7728NH6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Infineon Technologies |
3,915 | - |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 200mA (Ta) | 4.5V, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V | 2.3V @ 26µA | 1.5 nC @ 10 V | ±20V | 56 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT23 |
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IRF7324D1TRPBFMOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO Infineon Technologies |
2,845 | - |
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Tabla de datos |
FETKY™ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.2A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V | 700mV @ 250µA (Min) | 7.8 nC @ 4.5 V | ±12V | 260 pF @ 15 V | Schottky Diode (Isolated) | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
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SIPC03S2N03LX3MA1LV POWER MOS Infineon Technologies |
4,544 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IRF9321TRPBFXTMA1TRENCH <= 40V Infineon Technologies |
2,584 | - |
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- |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 15A (Ta) | 4.5V, 10V | 7.2mOhm @ 15A, 10V | 2.4V @ 50µA | 98 nC @ 10 V | ±20V | 2590 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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BSP316PE6327TMOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4 Infineon Technologies |
2,914 | - |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 680mA (Ta) | 4.5V, 10V | 1.8Ohm @ 680mA, 10V | 2V @ 170µA | 6.4 nC @ 10 V | ±20V | 146 pF @ 25 V | - | 1.8W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223-4 |
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IPU075N03L GMOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 Infineon Technologies |
2,534 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.5mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 1900 pF @ 15 V | - | 47W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-21 |
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IPC020N10L3X1SA1MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies |
3,905 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | Die | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 1A (Tj) | 4.5V | 100mOhm @ 2A, 4.5V | 2.1V @ 12µA | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Sawn on foil |
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