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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRFH4251DTRPBF

    IRFH4251DTRPBF

    MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A TISON8

    Infineon Technologies

    2,146
    RFQ
    IRFH4251DTRPBF

    Tabla de datos

    FASTIRFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual), Schottky Logic Level Gate 25V 64A, 188A 3.2mOhm @ 30A, 10V 2.1V @ 35µA 15nC @ 4.5V 1314pF @ 13V 31W, 63W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TISON-8
    IRF3575DTRPBF

    IRF3575DTRPBF

    MOSFET 2N-CH 25V 303A 32QFN

    Infineon Technologies

    4,363
    RFQ
    IRF3575DTRPBF

    Tabla de datos

    - 32-PowerWFQFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 25V 303A (Tc) - - - - - - - - Surface Mount 32-PQFN (6x6)
    IRFH4255DTRPBF

    IRFH4255DTRPBF

    MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

    Infineon Technologies

    2,085
    RFQ
    IRFH4255DTRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 25V 64A, 105A 3.2mOhm @ 30A, 10V 2.1V @ 35µA 15nC @ 4.5V 1314pF @ 13V 31W, 38W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
    IRFHE4250DTRPBF

    IRFHE4250DTRPBF

    MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN

    Infineon Technologies

    4,239
    RFQ
    IRFHE4250DTRPBF

    Tabla de datos

    FASTIRFET™ 32-PowerWFQFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 25V 86A, 303A 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V 2.1V @ 35µA 20nC @ 4.5V 1735pF @ 13V 156W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 32-PQFN (6x6)
    IRL6297SDTRPBF

    IRL6297SDTRPBF

    MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFETSA

    Infineon Technologies

    2,837
    RFQ
    IRL6297SDTRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® DirectFET™ Isometric SA Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 15A 4.9mOhm @ 15A, 4.5V 1.1V @ 35µA 54nC @ 10V 2245pF @ 10V 1.7W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SA
    IRF9389PBF

    IRF9389PBF

    MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO

    Infineon Technologies

    3,940
    RFQ
    IRF9389PBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 6.8A, 4.6A 27mOhm @ 6.8A, 10V 2.3V @ 10µA 14nC @ 10V 398pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSL205NH6327XTSA1

    BSL205NH6327XTSA1

    MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    2,418
    RFQ
    BSL205NH6327XTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4.5V Drive 20V 2.5A 50mOhm @ 2.5A, 4.5V 1.2V @ 11µA 3.2nC @ 4.5V 419pF @ 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TSOP6-6
    BSL207NH6327XTSA1

    BSL207NH6327XTSA1

    MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP

    Infineon Technologies

    3,413
    RFQ
    BSL207NH6327XTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 2.5V Drive 20V 2.1A 70mOhm @ 2.1A, 4.5V 1.2V @ 11µA 2.1nC @ 4.5V 419pF @ 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TSOP-6-1
    BSL214NH6327XTSA1

    BSL214NH6327XTSA1

    MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    4,810
    RFQ
    BSL214NH6327XTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 2.5V Drive 20V 1.5A 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 3.7µA 0.8nC @ 5V 143pF @ 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TSOP6-6
    BSL314PEH6327XTSA1

    BSL314PEH6327XTSA1

    MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    2,806
    RFQ
    BSL314PEH6327XTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 1.5A 140mOhm @ 1.5A, 10V 2V @ 6.3µA 2.9nC @ 10V 294pF @ 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TSOP6-6
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