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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    AUIRF7303QTR

    AUIRF7303QTR

    MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC

    Infineon Technologies

    3,103
    RFQ
    AUIRF7303QTR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 5.3A 50mOhm @ 2.7A, 10V 3V @ 100µA 21nC @ 10V 515pF @ 25V 2.4W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF7304QTR

    AUIRF7304QTR

    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC

    Infineon Technologies

    3,224
    RFQ
    AUIRF7304QTR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.3A 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 22nC @ 4.5V 610pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF7313QTR

    AUIRF7313QTR

    MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC

    Infineon Technologies

    4,811
    RFQ
    AUIRF7313QTR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6.9A 29mOhm @ 6.9A, 10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V 755pF @ 25V 2.4W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF7319QTR

    AUIRF7319QTR

    MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOIC

    Infineon Technologies

    3,379
    RFQ
    AUIRF7319QTR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 6.5A, 4.9A 29mOhm @ 5.8A, 10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF7341QTR

    AUIRF7341QTR

    MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC

    Infineon Technologies

    3,463
    RFQ
    AUIRF7341QTR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 5.1A 50mOhm @ 5.1A, 10V 3V @ 250µA 44nC @ 10V 780pF @ 25V 2.4W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF7379QTR

    AUIRF7379QTR

    MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

    Infineon Technologies

    2,177
    RFQ
    AUIRF7379QTR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 5.8A, 4.3A 45mOhm @ 5.8A, 10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V 520pF @ 25V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF9952QTR

    AUIRF9952QTR

    MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

    Infineon Technologies

    4,500
    RFQ
    AUIRF9952QTR

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 3.5A, 2.3A 100mOhm @ 2.2A, 10V 3V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF6802SDTRPBF

    IRF6802SDTRPBF

    MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFETSA

    Infineon Technologies

    4,967
    RFQ
    IRF6802SDTRPBF

    Tabla de datos

    - DirectFET™ Isometric SA Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 25V 16A 4.2mOhm @ 16A, 10V 2.1V @ 35µA 13nC @ 4.5V 1350pF @ 13V 1.7W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SA
    IRF6802SDTR1PBF

    IRF6802SDTR1PBF

    MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFETSA

    Infineon Technologies

    3,332
    RFQ
    IRF6802SDTR1PBF

    Tabla de datos

    HEXFET® DirectFET™ Isometric SA Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 25V 16A 4.2mOhm @ 16A, 10V 2.1V @ 35µA 13nC @ 4.5V 1350pF @ 13V 1.7W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SA
    AUIRF7103Q

    AUIRF7103Q

    MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO

    Infineon Technologies

    2,762
    RFQ
    AUIRF7103Q

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 50V 3A 130mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V 255pF @ 25V 2.4W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
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