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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRF7331TRPBF-1

    IRF7331TRPBF-1

    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SOIC

    Infineon Technologies

    4,933
    RFQ
    IRF7331TRPBF-1

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 20V 7A (Ta) 30mOhm @ 7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 20nC @ 4.5V 1340pF @ 16V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRF7904TRPBF-1

    IRF7904TRPBF-1

    MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO

    Infineon Technologies

    4,538
    RFQ
    IRF7904TRPBF-1

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 30V 7.6A, 11A 16.2mOhm @ 7.6A, 10V 2.25V @ 25µA 11nC @ 4.5V 910pF @ 15V 1.4W, 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    94-2518PBF

    94-2518PBF

    MOSFET

    Infineon Technologies

    4,540
    RFQ

    -

    - - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
    64-2013PBF

    64-2013PBF

    MOSFET

    Infineon Technologies

    3,171
    RFQ

    -

    - - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
    FF6MR12W2M1PB11BPSA1

    FF6MR12W2M1PB11BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 200A

    Infineon Technologies

    2,556
    RFQ
    FF6MR12W2M1PB11BPSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™+ Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 200A (Tj) 5.63mOhm @ 200A, 15V 5.55V @ 80mA 496nC @ 15V 14700pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    FF23MR12W1M1PB11BPSA1

    FF23MR12W1M1PB11BPSA1

    MOSFET 2 IND 1200V AG-EASY1BM-2

    Infineon Technologies

    4,062
    RFQ
    FF23MR12W1M1PB11BPSA1

    Tabla de datos

    CoolSiC™+ Module Tray Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 Independent - 1200V (1.2kV) 50A 22.5mOhm @ 50A, 15V 5.5V @ 20mA 124nC @ 15V 3680pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1BM-2
    BSC150N03LD

    BSC150N03LD

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON

    Infineon Technologies

    2,067
    RFQ
    BSC150N03LD

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 3 8-PowerVDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A 15mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 6.4nC @ 10V 1100pF @ 15V 26W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    DF11MR12W1M1PB11BPSA1

    DF11MR12W1M1PB11BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 50A AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    3,512
    RFQ
    DF11MR12W1M1PB11BPSA1

    Tabla de datos

    EasyPACK™ Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 22.5mOhm @ 50A, 15V 5.55V @ 20mA 124nC @ 15V 3680pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1B-2
    IRF7313TRPBF-1

    IRF7313TRPBF-1

    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

    Infineon Technologies

    3,356
    RFQ
    IRF7313TRPBF-1

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 6.5A (Ta) 29mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRF9910TRPBF-1

    IRF9910TRPBF-1

    MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SOIC

    Infineon Technologies

    2,063
    RFQ
    IRF9910TRPBF-1

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 20V 10A (Ta), 12A (Ta) 13.4mOhm @ 10A, 10V, 9.3mOhm @ 12A, 10V 2.55V @ 250µA 11nC @ 4.5V, 23nC @ 4.5V 900pF @ 10V, 1860pF @ 10V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
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