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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    AUIRF7303Q

    AUIRF7303Q

    MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC

    Infineon Technologies

    4,817
    RFQ
    AUIRF7303Q

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 5.3A 50mOhm @ 2.7A, 10V 3V @ 100µA 21nC @ 10V 515pF @ 25V 2.4W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF7304Q

    AUIRF7304Q

    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC

    Infineon Technologies

    4,795
    RFQ
    AUIRF7304Q

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.3A 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 22nC @ 4.5V 610pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF7309Q

    AUIRF7309Q

    MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

    Infineon Technologies

    4,522
    RFQ
    AUIRF7309Q

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 4A, 3A 50mOhm @ 2.4A, 10V 3V @ 250µA 25nC @ 4.5V 520pF @ 15V 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF7313Q

    AUIRF7313Q

    MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC

    Infineon Technologies

    3,224
    RFQ
    AUIRF7313Q

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6.9A 29mOhm @ 6.9A, 10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V 755pF @ 25V 2.4W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF7316Q

    AUIRF7316Q

    MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC

    Infineon Technologies

    3,557
    RFQ
    AUIRF7316Q

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V - 58mOhm @ 4.9A, 10V 3V @ 250µA 34nC @ 10V 710pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF7319Q

    AUIRF7319Q

    MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOIC

    Infineon Technologies

    3,114
    RFQ
    AUIRF7319Q

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 6.5A, 4.9A 29mOhm @ 5.8A, 10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF7341Q

    AUIRF7341Q

    MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC

    Infineon Technologies

    2,897
    RFQ
    AUIRF7341Q

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 5.1A 50mOhm @ 5.1A, 10V 3V @ 250µA 44nC @ 10V 780pF @ 25V 2.4W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF7342Q

    AUIRF7342Q

    MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC

    Infineon Technologies

    3,145
    RFQ
    AUIRF7342Q

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 3.4A 105mOhm @ 3.4A, 10V 3V @ 250µA 38nC @ 10V 690pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF7379Q

    AUIRF7379Q

    MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

    Infineon Technologies

    2,031
    RFQ
    AUIRF7379Q

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 5.8A, 4.3A 45mOhm @ 5.8A, 10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V 520pF @ 25V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AUIRF9952Q

    AUIRF9952Q

    MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

    Infineon Technologies

    4,725
    RFQ
    AUIRF9952Q

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 3.5A, 2.3A 100mOhm @ 2.2A, 10V 3V @ 250µA 14nC @ 10V 190pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
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