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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRF7351PBF

    IRF7351PBF

    MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

    Infineon Technologies

    2,872
    RFQ
    IRF7351PBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 8A 17.8mOhm @ 8A, 10V 4V @ 50µA 36nC @ 10V 1330pF @ 30V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSD840N L6327

    BSD840N L6327

    MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363

    Infineon Technologies

    4,764
    RFQ
    BSD840N L6327

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 880mA 400mOhm @ 880mA, 2.5V 750mV @ 1.6µA 0.26nC @ 2.5V 78pF @ 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT363-PO
    BSL308PEL6327HTSA1

    BSL308PEL6327HTSA1

    MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    2,257
    RFQ
    BSL308PEL6327HTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2A 80mOhm @ 2A, 10V 1V @ 11µA 5nC @ 10V 500pF @ 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSOP6-6
    BSL314PEL6327HTSA1

    BSL314PEL6327HTSA1

    MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    3,995
    RFQ
    BSL314PEL6327HTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 1.5A 140mOhm @ 1.5A, 10V 2V @ 6.3µA 2.9nC @ 10V 294pF @ 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSOP6-6
    BSL806NL6327HTSA1

    BSL806NL6327HTSA1

    MOSFET 2N-CH 20V 2.3A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    2,204
    RFQ
    BSL806NL6327HTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.3A 57mOhm @ 2.3A, 2.5V 750mV @ 11µA 1.7nC @ 2.5V 259pF @ 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSOP6-6
    IPG15N06S3L-45

    IPG15N06S3L-45

    MOSFET 2N-CH 55V 15A 8TDSON

    Infineon Technologies

    3,037
    RFQ
    IPG15N06S3L-45

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 15A 45mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 10µA 20nC @ 10V 1420pF @ 25V 21W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IPG20N06S3L-23

    IPG20N06S3L-23

    MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    3,573
    RFQ
    IPG20N06S3L-23

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 20A 23mOhm @ 16A, 10V 2.2V @ 20µA 42nC @ 10V 2950pF @ 25V 45W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IPG20N06S3L-35

    IPG20N06S3L-35

    MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    3,752
    RFQ
    IPG20N06S3L-35

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 20A 35mOhm @ 11A, 10V 2.2V @ 15µA 23nC @ 10V 1730pF @ 25V 30W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IRF6723M2DTR1P

    IRF6723M2DTR1P

    MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFETMA

    Infineon Technologies

    4,606
    RFQ
    IRF6723M2DTR1P

    Tabla de datos

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MA Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 15A 6.6mOhm @ 15A, 10V 2.35V @ 25µA 14nC @ 4.5V 1380pF @ 15V 2.7W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MA
    IRFI4019HG-117P

    IRFI4019HG-117P

    MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5

    Infineon Technologies

    3,192
    RFQ
    IRFI4019HG-117P

    Tabla de datos

    - TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 150V 8.7A 95mOhm @ 5.2A, 10V 4.9V @ 50µA 20nC @ 10V 810pF @ 25V 18W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-5 Full-Pak
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