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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    BSD223P L6327

    BSD223P L6327

    MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

    Infineon Technologies

    3,793
    RFQ
    BSD223P L6327

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 390mA 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 1.2V @ 1.5µA 0.62nC @ 4.5V 56pF @ 15V 250mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT363-PO
    BSD235C L6327

    BSD235C L6327

    MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363

    Infineon Technologies

    4,472
    RFQ
    BSD235C L6327

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 950mA, 530mA 350mOhm @ 950mA, 4.5V 1.2V @ 1.6µA 0.34nC @ 4.5V 47pF @ 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT363-PO
    BSD235N L6327

    BSD235N L6327

    MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363

    Infineon Technologies

    2,980
    RFQ
    BSD235N L6327

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 2 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 950mA 350mOhm @ 950mA, 4.5V 1.2V @ 1.6µA 0.32nC @ 4.5V 63pF @ 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-SOT363-PO
    BSL205NL6327HTSA1

    BSL205NL6327HTSA1

    MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    2,486
    RFQ
    BSL205NL6327HTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.5A 50mOhm @ 2.5A, 4.5V 1.2V @ 11µA 3.2nC @ 4.5V 419pF @ 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSOP6-6
    BSL214NL6327HTSA1

    BSL214NL6327HTSA1

    MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    4,491
    RFQ
    BSL214NL6327HTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 1.5A 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 3.7µA 0.8nC @ 5V 143pF @ 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSOP6-6
    BSL215CL6327HTSA1

    BSL215CL6327HTSA1

    MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    3,997
    RFQ
    BSL215CL6327HTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 1.5A 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 3.7µA 0.73nC @ 4.5V 143pF @ 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSOP6-6
    BSL315PL6327HTSA1

    BSL315PL6327HTSA1

    MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    4,510
    RFQ
    BSL315PL6327HTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 1.5A 150mOhm @ 1.5A, 10V 2V @ 11µA 2.3nC @ 5V 282pF @ 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSOP6-6
    BSL316CL6327HTSA1

    BSL316CL6327HTSA1

    MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    2,558
    RFQ
    BSL316CL6327HTSA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 1.4A, 1.5A 160mOhm @ 1.4A, 10V 2V @ 3.7µA 0.6nC @ 5V 94pF @ 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSOP6-6
    IRF8313PBF

    IRF8313PBF

    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO

    Infineon Technologies

    3,958
    RFQ
    IRF8313PBF

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 9.7A 15.5mOhm @ 9.7A, 10V 2.35V @ 25µA 90nC @ 4.5V 760pF @ 15V 2W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF8513PBF

    IRF8513PBF

    MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO

    Infineon Technologies

    4,679
    RFQ
    IRF8513PBF

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A, 11A 15.5mOhm @ 8A, 10V 2.35V @ 25µA 8.6nC @ 4.5V 766pF @ 15V 1.5W, 2.4W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
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