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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRF7303QTRPBF

    IRF7303QTRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO

    Infineon Technologies

    4,630
    RFQ
    IRF7303QTRPBF

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 4.9A 50mOhm @ 2.4A, 10V 1V @ 250µA 25nC @ 10V 520pF @ 25V 2W - - - Surface Mount 8-SO
    IRF7307QTRPBF

    IRF7307QTRPBF

    MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO

    Infineon Technologies

    3,070
    RFQ
    IRF7307QTRPBF

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 5.2A, 4.3A 50mOhm @ 2.6A, 4.5V 700mV @ 250µA 20nC @ 4.5V 660pF @ 15V 2W - - - Surface Mount 8-SO
    IRF7314QTRPBF

    IRF7314QTRPBF

    MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SO

    Infineon Technologies

    2,463
    RFQ
    IRF7314QTRPBF

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 5.2A 58mOhm @ 5.2A, 4.5V 700mV @ 250µA 29nC @ 4.5V 913pF @ 15V 2.4W - - - Surface Mount 8-SO
    IRF7313QTRPBF

    IRF7313QTRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO

    Infineon Technologies

    4,103
    RFQ
    IRF7313QTRPBF

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 6.5A 29mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 2W - - - Surface Mount 8-SO
    IRF7103QTRPBF

    IRF7103QTRPBF

    MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO

    Infineon Technologies

    2,126
    RFQ
    IRF7103QTRPBF

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 50V 3A 130mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V 255pF @ 25V 2.4W - - - Surface Mount 8-SO
    IRF7105QTRPBF

    IRF7105QTRPBF

    MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO

    Infineon Technologies

    2,322
    RFQ
    IRF7105QTRPBF

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 25V 3.5A, 2.3A 100mOhm @ 1A, 10V 3V @ 250µA 27nC @ 10V 330pF @ 15V 2W - - - Surface Mount 8-SO
    IRF7342QTRPBF

    IRF7342QTRPBF

    MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO

    Infineon Technologies

    3,234
    RFQ
    IRF7342QTRPBF

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 3.4A 105mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 38nC @ 10V 690pF @ 25V 2W - - - Surface Mount 8-SO
    IRFI4024H-117P

    IRFI4024H-117P

    MOSFET 2N-CH 55V 11A TO220-5

    Infineon Technologies

    4,203
    RFQ
    IRFI4024H-117P

    Tabla de datos

    - TO-220-5 Full Pack Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 55V 11A 60mOhm @ 7.7A, 10V 4V @ 25µA 13nC @ 10V 320pF @ 50V 14W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-5 Full-Pak
    IRF5810TRPBF

    IRF5810TRPBF

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP

    Infineon Technologies

    3,313
    RFQ
    IRF5810TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.9A 90mOhm @ 2.9A, 4.5V 1.2V @ 250µA 9.6nC @ 4.5V 650pF @ 16V 960mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    IRF5850TRPBF

    IRF5850TRPBF

    MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP

    Infineon Technologies

    4,958
    RFQ
    IRF5850TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.2A 135mOhm @ 2.2A, 4.5V 1.2V @ 250µA 5.4nC @ 4.5V 320pF @ 15V 960mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
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