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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRF7530PBF

    IRF7530PBF

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8

    Infineon Technologies

    3,127
    RFQ
    IRF7530PBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 20V 5.4A 30mOhm @ 5.4A, 4.5V 1.2V @ 250µA 26nC @ 4.5V 1310pF @ 15V 1.3W - - - Surface Mount Micro8™
    IRF7101TRPBF

    IRF7101TRPBF

    MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8SO

    Infineon Technologies

    3,681
    RFQ
    IRF7101TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.5A 100mOhm @ 1.8A, 10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V 320pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF9953TRPBF

    IRF9953TRPBF

    MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO

    Infineon Technologies

    4,024
    RFQ
    IRF9953TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 30V 2.3A 250mOhm @ 1A, 10V 1V @ 250µA 12nC @ 10V 190pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7325TRPBF

    IRF7325TRPBF

    MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8SO

    Infineon Technologies

    4,075
    RFQ
    IRF7325TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 7.8A 24mOhm @ 7.8A, 4.5V 900mV @ 250µA 33nC @ 4.5V 2020pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7104PBF

    IRF7104PBF

    MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO

    Infineon Technologies

    2,540
    RFQ
    IRF7104PBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.3A 250mOhm @ 1A, 10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V 290pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7313PBF

    IRF7313PBF

    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO

    Infineon Technologies

    3,834
    RFQ
    IRF7313PBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 6.5A 29mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7316PBF

    IRF7316PBF

    MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO

    Infineon Technologies

    3,548
    RFQ
    IRF7316PBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 4.9A 58mOhm @ 4.9A, 10V 1V @ 250µA 34nC @ 10V 710pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7341PBF

    IRF7341PBF

    MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO

    Infineon Technologies

    4,239
    RFQ
    IRF7341PBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 4.7A 50mOhm @ 4.7A, 10V 1V @ 250µA 36nC @ 10V 740pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7504TRPBF

    IRF7504TRPBF

    MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8

    Infineon Technologies

    2,548
    RFQ
    IRF7504TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 1.7A 270mOhm @ 1.2A, 4.5V 700mV @ 250µA 8.2nC @ 4.5V 240pF @ 15V 1.25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
    IRF7555TRPBF

    IRF7555TRPBF

    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8

    Infineon Technologies

    4,027
    RFQ
    IRF7555TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.3A 55mOhm @ 4.3A, 4.5V 1.2V @ 250µA 15nC @ 5V 1066pF @ 10V 1.25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
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