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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IPD65R420CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3 Infineon Technologies |
2,178 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 8.7A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 3.4A, 10V | 4.5V @ 345µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 870 pF @ 100 V | - | 83.3W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO252-3 |
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IPA040N06NXKSA1MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP Infineon Technologies |
420 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 69A (Tc) | 6V, 10V | 4mOhm @ 69A, 10V | 3.3V @ 50µA | 44 nC @ 10 V | ±20V | 3375 pF @ 30 V | - | 36W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
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IPD033N06NATMA1MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Infineon Technologies |
2,063 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 90A (Tc) | 6V, 10V | 3.3mOhm @ 90A, 10V | 3.3V @ 50µA | 44 nC @ 10 V | ±20V | 3400 pF @ 30 V | - | 107W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
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IPT60R180CM8XTMA1IPT60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies |
1,905 | - |
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- |
CoolMOS™ | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 18A (Tj) | 10V | 180mOhm @ 5.6A, 10V | 4.7V @ 140µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 743 pF @ 400 V | - | 119W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-2 |
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IPB60R280P6ATMA1MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK Infineon Technologies |
982 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ P6 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 13.8A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 5.2A, 10V | 4.5V @ 430µA | 25.5 nC @ 10 V | ±20V | 1190 pF @ 100 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
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IAUCN04S6N009TATMA1MOSFET_(20V 40V) Infineon Technologies |
1,875 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPB90N04S402ATMA1MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK Infineon Technologies |
995 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 90A (Tc) | 10V | 2.1mOhm @ 90A, 10V | 4V @ 95µA | 118 nC @ 10 V | ±20V | 9430 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
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IPP073N13NM6AKSA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
462 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IQE004NE1LM7CGATMA1TRENCH <= 40V Infineon Technologies |
9,900 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 7 | 9-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 15 V | 58A (Ta), 379A (Tc) | 4.5V, 7V | 0.45mOhm @ 30A, 7V | 2V @ 432µA | 55 nC @ 7 V | ±7V | 6240 pF @ 7.5 V | - | 2.1W (Ta), 89W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TTFN-9-3 |
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ISC078N12NM6ATMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
4,885 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 6 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 120 V | 13.2A (Ta), 85A (Tc) | 8V, 10V | 7.8mOhm @ 37A, 10V | 3.6V @ 49.6µA | 26 nC @ 10 V | ±20V | 2000 pF @ 60 V | - | 3W (Ta), 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SuperSO8 |
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