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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IPP120N04S402AKSA1MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 Infineon Technologies |
302 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 2.1mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 110µA | 134 nC @ 10 V | ±20V | 10740 pF @ 25 V | - | 158W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
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IPP70N12S311AKSA1MOSFET N-CHANNEL_100+ Infineon Technologies |
280 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 120 V | 70A (Tc) | 10V | 11.6mOhm @ 70A, 10V | 4V @ 83µA | 65 nC @ 10 V | ±20V | 4355 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
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IPA90R800C3XKSA2MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220 Infineon Technologies |
474 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 6.9A (Tc) | 10V | 800mOhm @ 4.1A, 10V | 3.5V @ 460µA | 42 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF @ 100 V | - | 33W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
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IPP90R800C3XKSA2MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3 Infineon Technologies |
458 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 6.9A (Tc) | 10V | 800mOhm @ 4.1A, 10V | 3.5V @ 460µA | 42 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF @ 100 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
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IAUCN04S6N007TATMA1MOSFET_(20V 40V) Infineon Technologies |
1,624 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IQE046N08LM5ATMA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
4,100 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 15.6A (Ta), 99A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.6mOhm @ 20A, 10V | 2.3V @ 47µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 3250 pF @ 40 V | - | 2.5W (Ta), 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TSON-8-5 |
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IRFB4110PBFXKMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
968 | - |
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- |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 120A (Tc) | 10V | 4.5mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 210 nC @ 10 V | ±20V | 9620 pF @ 50 V | - | 370W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IPB65R310CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK Infineon Technologies |
2,403 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11.4A (Tc) | 10V | 310mOhm @ 4.4A, 10V | 4.5V @ 440µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 1110 pF @ 100 V | - | 104.2W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO263-3 |
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IPW65R420CFDFKSA2MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3 Infineon Technologies |
120 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ CFD2 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 8.7A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 3.4A, 10V | 4.5V @ 300µA | 31.5 nC @ 10 V | ±20V | 870 pF @ 100 V | - | 83.3W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-41 |
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IPB60R210CFD7ATMA1MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3 Infineon Technologies |
990 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ CFD7 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 12A (Tc) | 10V | 210mOhm @ 4.9A, 10V | 4.5V @ 250µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 1015 pF @ 400 V | - | 64W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
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