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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IAUCN04S6N013TATMA1MOSFET_(20V 40V) Infineon Technologies |
1,150 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 6 | 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 230A (Tc) | 7V, 10V | 1.32mOhm @ 60A, 10V | 3V @ 60µA | 69 nC @ 10 V | ±20V | 4810 pF @ 25 V | - | 133W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-LHDSO-10-1 |
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IPA126N10NM3SXKSA1MOSFET N-CH 100V 39A TO220 Infineon Technologies |
231 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 3 | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 35A (Tc) | 6V, 10V | 12.6mOhm @ 35A, 10V | 3.5V @ 45µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 2500 pF @ 50 V | - | 33W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220 Full Pack |
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IPP65R420CFDXKSA2MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3 Infineon Technologies |
488 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ CFD2 | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 8.7A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 3.4A, 10V | 4.5V @ 300µA | 31.5 nC @ 10 V | ±20V | 870 pF @ 100 V | - | 83.3W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
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IPI120N04S402AKSA1MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3 Infineon Technologies |
500 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 2.1mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 110µA | 134 nC @ 10 V | ±20V | 10740 pF @ 25 V | - | 158W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3 |
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ISZ113N10NM5LF2ATMA1ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET Infineon Technologies |
4,970 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPA60R210CFD7XKSA1LOW POWER_NEW Infineon Technologies |
500 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Tube | Active | - | - | - | 7A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPI65R380C6XKSA1MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3 Infineon Technologies |
500 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 10.6A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 3.2A, 10V | 3.5V @ 320µA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 710 pF @ 100 V | - | 83W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3 |
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IPAN60R180CM8XKSA1IPAN60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies |
256 | - |
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- |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 8A (Tj) | 10V | 180mOhm @ 5.6A, 10V | 4.7V @ 140µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 743 pF @ 400 V | - | 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220 Full Pack |
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IPP60R180CM8XKSA1IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies |
135 | - |
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- |
CoolMOS™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 19A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 5.6A, 10V | 4.7V @ 140µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 743 pF @ 400 V | - | 142W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
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IPB80N06S2L11ATMA2MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Infineon Technologies |
863 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 10.7mOhm @ 40A, 10V | 2V @ 93µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 2075 pF @ 25 V | - | 158W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
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