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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IPP80R1K2P7XKSA1MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3 Infineon Technologies |
4,324 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ P7 | TO-220-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 4.5A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V | 3.5V @ 80µA | 11 nC @ 10 V | ±20V | 300 pF @ 500 V | - | 37W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
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SPB100N06S2-05MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 Infineon Technologies |
4,000 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 100A (Tc) | 10V | 4.7mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 6800 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
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SPI15N60C3N-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
894 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IRF2903ZPBFMOSFET N-CH 30V 75A TO220AB Infineon Technologies |
4,920 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 75A (Tc) | 10V | 2.4mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 6320 pF @ 25 V | - | 290W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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AUIRF1405ZLMOSFET N-CH 55V 150A TO262 Infineon Technologies |
3,335 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 150A (Tc) | 10V | 4.9mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 4780 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
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BSC097N06NSTATMA1MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON Infineon Technologies |
4,007 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 13A (Ta), 48A (Tc) | 6V, 10V | 9.7mOhm @ 40A, 10V | 3.3V @ 14µA | 15 nC @ 10 V | ±20V | 1075 pF @ 30 V | - | 3W (Ta), 43W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-1 |
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IPB80N06S2LH5ATMA3MOSFET Infineon Technologies |
16,000 | - |
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- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPI70N10SL16AKSA1MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 Infineon Technologies |
3,494 | - |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 70A (Tc) | 4.5V, 10V | 16mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 2mA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 4540 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3 |
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IPB80N06S2LH5ATMA4MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Infineon Technologies |
3,126 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 3 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.7mOhm @ 80A, 10V | 2V @ 250µA | 190 nC @ 10 V | ±20V | 5000 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
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ISZ0803NLSATMA1MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON Infineon Technologies |
4,800 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 7.7A (Ta), 37A (Tc) | 4.5V, 10V | 16.9mOhm @ 20A, 10V | 2.3V @ 18µA | 15 nC @ 10 V | ±20V | 1000 pF @ 50 V | - | 2.1W (Ta), 43W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TSDSON-8-26 |
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