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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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SPD1305NLN-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
75,000 | - |
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- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SPU08N05LN-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
54,000 | - |
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- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPS105N03LGAKMA1MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3 Infineon Technologies |
2,553 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 35A (Tc) | 4.5V, 10V | 10.5mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 1500 pF @ 15 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
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IPS105N03LGN-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
6,615 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 35A (Tc) | 4.5V, 10V | 10.5mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 1500 pF @ 15 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
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BSL296SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 100V 1.4A TSOP-6 Infineon Technologies |
3,604 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 1.4A (Ta) | 4.5V, 10V | 460mOhm @ 1.26A, 10V | 1.8V @ 100µA | 4 nC @ 5 V | ±20V | 152.7 pF @ 25 V | - | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TSOP6-6 |
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IPS075N03LGAKMA1MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 Infineon Technologies |
4,045 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.5mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 1900 pF @ 15 V | - | 47W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
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IPS060N03LGAKMA1MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 Infineon Technologies |
2,615 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 2400 pF @ 15 V | - | 56W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
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BSP320SL6433SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Infineon Technologies |
7,937 | - |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-261-4, TO-261AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 2.9A (Tj) | 10V | 120mOhm @ 2.9A, 10V | 4V @ 20µA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 340 pF @ 25 V | - | 1.8W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223-4-21 |
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IPSA70R1K4P7SAKMA1MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 Infineon Technologies |
2,502 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ P7 | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 4A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 700mA, 10V | 3.5V @ 40µA | 4.7 nC @ 400 V | ±16V | 158 pF @ 400 V | - | 22.7W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3 |
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IPS050N03LGN-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
1,500 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 5mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 31 nC @ 10 V | ±20V | 3200 pF @ 15 V | - | 68W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
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