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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    HAS350M12BM3

    HAS350M12BM3

    MOSFET 2N-CH 1200V 350A

    Wolfspeed, Inc.

    3
    RFQ
    HAS350M12BM3

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 350A - - - - - - - - Chassis Mount -
    HAS530M12BM3

    HAS530M12BM3

    MOSFET 2N-CH 1200V 530A

    Wolfspeed, Inc.

    3
    RFQ
    HAS530M12BM3

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 530A - - - - - - - - Chassis Mount -
    WAS310M17BM3

    WAS310M17BM3

    SIC 1700V 310A

    Wolfspeed, Inc.

    4
    RFQ
    WAS310M17BM3

    Tabla de datos

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) - - 1700V (1.7kV) 310A - - - - - - - - Chassis Mount -
    HAS310M17BM3

    HAS310M17BM3

    MOSFET 2N-CH 1700V 399A

    Wolfspeed, Inc.

    3
    RFQ
    HAS310M17BM3

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1700V 399A (Tc) 5.8mOhm @ 310A, 15V 3.6V @ 102mA 996nC @ 15V 31500pF @ 1000V 1.63kW (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    ADP280120W3

    ADP280120W3

    MOSFET 6N-CH 1200V 275A ACEPACK

    STMicroelectronics

    5
    RFQ
    ADP280120W3

    Tabla de datos

    ECOPACK® Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 275A (Tj) 5.05mOhm @ 280A, 18V 4.4V @ 30mA 629nC @ 18V 18710pF @ 800V 549W -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
    CAB320M17XM3

    CAB320M17XM3

    SIC 1700V 320A MODULE

    Wolfspeed, Inc.

    2
    RFQ
    CAB320M17XM3

    Tabla de datos

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) - - 1700V (1.7kV) 320A (Tc) - - - - - - - - Chassis Mount -
    ADP480120W3

    ADP480120W3

    MOSFET 6N-CH 1200V 488A ACEPACK

    STMicroelectronics

    6
    RFQ
    ADP480120W3

    Tabla de datos

    ECOPACK® Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 488A (Tj) 2.6mOhm @ 480A, 18V 4.4V @ 50mA 1258nC @ 18V 37420pF @ 800V 869W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
    ADP480120W3-L

    ADP480120W3-L

    MOSFET 6N-CH 1200V 488A ACEPACK

    STMicroelectronics

    5
    RFQ
    ADP480120W3-L

    Tabla de datos

    ECOPACK® Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (Phase Leg) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 488A (Tj) 2.6mOhm @ 480A, 18V 4.4V @ 50mA 1258nC @ 18V 37420pF @ 800V 869W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
    NVXR22S90M2SPB

    NVXR22S90M2SPB

    MOSFET 6N-CH 900V 510A SSDC39

    onsemi

    4
    RFQ
    NVXR22S90M2SPB

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 900V 510A (Tj) 2.7mOhm @ 510A, 18V 4.3V @ 150mA 1800nC @ 18V 35000pF @ 400V 900W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Chassis Mount SSDC39
    NVXR22S90M2SPC

    NVXR22S90M2SPC

    MOSFET 6N-CH 900V 510A SSDC39

    onsemi

    3
    RFQ
    NVXR22S90M2SPC

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 900V 510A (Tj) 2.7mOhm @ 510A, 18V 4.3V @ 150mA 1800nC @ 18V 35000pF @ 400V 900W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Chassis Mount SSDC39
    NVXR17S90M2SPB

    NVXR17S90M2SPB

    MOSFET 6N-CH 900V 620A SSDC39

    onsemi

    7
    RFQ
    NVXR17S90M2SPB

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 900V 620A (Tj) 2.1mOhm @ 620A, 18V 4.3V @ 200mA 2400nC @ 18V 45000pF @ 400V 1kW (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Chassis Mount SSDC39
    NVXR17S90M2SPC

    NVXR17S90M2SPC

    MOSFET 6N-CH 900V 620A SSDC39

    onsemi

    3
    RFQ
    NVXR17S90M2SPC

    Tabla de datos

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 900V 620A (Tj) 2.1mOhm @ 620A, 18V 4.3V @ 200mA 2400nC @ 18V 45000pF @ 400V 1kW (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Chassis Mount SSDC39
    IRFR21496

    IRFR21496

    MOSFET N-CH 250V 2.2A

    Harris Corporation

    993
    RFQ
    IRFR21496

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    RFD14N05S2515

    RFD14N05S2515

    MOSFET N-CH 50V 14A

    Harris Corporation

    900
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SI4920DY

    SI4920DY

    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    970
    RFQ
    SI4920DY

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6A (Ta) 28mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 13nC @ 5V 830pF @ 15V 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    PJT7872B_R1_00001

    PJT7872B_R1_00001

    MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

    Panjit International Inc.

    922
    RFQ
    PJT7872B_R1_00001

    Tabla de datos

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 250mA (Ta) 3Ohm @ 600mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.82nC @ 4.5V 34pF @ 25V 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-363
    NTZD3154NT5G

    NTZD3154NT5G

    MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563

    onsemi

    314
    RFQ
    NTZD3154NT5G

    Tabla de datos

    - SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 20V 540mA 550mOhm @ 540mA, 4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V 150pF @ 16V 250mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-563
    IPB13N03LBG

    IPB13N03LBG

    MOSFET N-CH

    Infineon Technologies

    999
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    IRFU220S2497

    IRFU220S2497

    MOSFET N-CH

    Harris Corporation

    900
    RFQ
    IRFU220S2497

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SFT1405-TL-E

    SFT1405-TL-E

    MOSFET N-CH

    onsemi

    700
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
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