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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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APTM20SKM05GMOSFET N-CH 200V 317A SP6 Microsemi Corporation |
3,600 | - |
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Tabla de datos |
- | SP6 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 317A (Tc) | 10V | 6mOhm @ 158.5A, 10V | 5V @ 10mA | 448 nC @ 10 V | ±30V | 27400 pF @ 25 V | - | 1136W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SP6 |
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APTM50UM25SGMOSFET N-CH 500V 149A MODULE Microsemi Corporation |
2,991 | - |
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Tabla de datos |
- | J3 Module | Bulk | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 149A (Tc) | 10V | 25mOhm @ 74.5A, 10V | 5V @ 10mA | 364 nC @ 10 V | ±30V | 17500 pF @ 25 V | - | 1250W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | Module |
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APTM100U13SGMOSFET N-CH 1000V 65A MODULE Microsemi Corporation |
2,155 | - |
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Tabla de datos |
- | J3 Module | Bulk | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 65A (Tc) | 10V | 145mOhm @ 32.5A, 10V | 4V @ 10mA | 2000 nC @ 10 V | ±30V | 31600 pF @ 25 V | - | 1250W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | Module |
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APTM20UM05SGMOSFET N-CH 200V 317A MODULE Microsemi Corporation |
2,804 | - |
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Tabla de datos |
- | J3 Module | Bulk | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 317A (Tc) | 10V | 5mOhm @ 158.5A, 10V | 5V @ 10mA | 448 nC @ 10 V | ±30V | 27400 pF @ 25 V | - | 1136W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | Module |
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APTM50UM19SGMOSFET N-CH 500V 163A MODULE Microsemi Corporation |
2,554 | - |
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Tabla de datos |
- | J3 Module | Bulk | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 163A (Tc) | 10V | 19mOhm @ 81.5A, 10V | 5V @ 10mA | 492 nC @ 10 V | ±30V | 22400 pF @ 25 V | - | 1136W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | Module |
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APTM120DA15GMOSFET N-CH 1200V 60A SP6 Microsemi Corporation |
3,277 | - |
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Tabla de datos |
- | SP6 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 60A (Tc) | 10V | 175mOhm @ 30A, 10V | 5V @ 10mA | 748 nC @ 10 V | ±30V | 20600 pF @ 25 V | - | 1250W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SP6 |
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APTM120SK15GMOSFET N-CH 1200V 60A SP6 Microsemi Corporation |
2,010 | - |
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Tabla de datos |
- | SP6 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 60A (Tc) | 10V | 175mOhm @ 30A, 10V | 5V @ 10mA | 748 nC @ 10 V | ±30V | 20600 pF @ 25 V | - | 1250W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SP6 |
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APTM120UM95FAGMOSFET N-CH 1200V 103A SP6 Microsemi Corporation |
4,898 | - |
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Tabla de datos |
- | SP6 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 103A (Tc) | 10V | 114mOhm @ 51.5A, 10V | 5V @ 15mA | 1122 nC @ 10 V | ±30V | 30900 pF @ 25 V | - | 2272W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SP6 |
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APTM120U10DAGMOSFET N-CH 1200V 160A SP6 Microsemi Corporation |
2,162 | - |
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Tabla de datos |
- | SP6 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 160A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 58A, 10V | 5V @ 20mA | 1100 nC @ 10 V | ±30V | 28900 pF @ 25 V | - | 3290W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SP6 |
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JAN2N6898MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 Microsemi Corporation |
4,607 | - |
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- |
- | TO-204AA, TO-3 | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 25A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 15.8A, 10V | 4V @ 250µA | - | ±20V | 3000 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Military | - | Through Hole | TO-3 |
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