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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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APT60M80JVRMOSFET N-CH 600V 55A ISOTOP Microsemi Corporation |
4,231 | - |
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POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 55A (Tc) | 10V | 80mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 5mA | 870 nC @ 10 V | ±30V | 14500 pF @ 25 V | - | 568W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT80SM120JSICFET N-CH 1200V 51A SOT227 Microsemi Corporation |
2,566 | - |
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- |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Obsolete | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 51A (Tc) | 20V | 55mOhm @ 40A, 20V | 2.5V @ 1mA | 235 nC @ 20 V | +25V, -10V | - | - | 273W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
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APT55M50JFLLMOSFET N-CH 550V 77A ISOTOP Microsemi Corporation |
4,109 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 550 V | 77A (Tc) | 10V | 50mOhm @ 38.5A, 10V | 5V @ 5mA | 265 nC @ 10 V | ±30V | 12400 pF @ 25 V | - | 694W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT40M35JVFRMOSFET N-CH 400V 93A ISOTOP Microsemi Corporation |
3,989 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 93A (Tc) | 10V | 35mOhm @ 46.5A, 10V | 4V @ 5mA | 1065 nC @ 10 V | ±30V | 20160 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT58M50JCU3MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 Microsemi Corporation |
4,897 | - |
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- |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 58A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 42A, 10V | 5V @ 2.5mA | 340 nC @ 10 V | ±30V | 10800 pF @ 25 V | - | 543W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
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APT60M75JVFRMOSFET N-CH 600V 62A ISOTOP Microsemi Corporation |
4,830 | - |
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- |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 62A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 31A, 10V | 4V @ 5mA | 1050 nC @ 10 V | ±30V | 19800 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT14050JVFRMOSFET N-CH 1400V 23A ISOTOP Microsemi Corporation |
2,097 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1400 V | 23A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 11.5A, 10V | 4V @ 5mA | 820 nC @ 10 V | ±30V | 13500 pF @ 25 V | - | 694W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APTM100DA18CT1GMOSFET N-CH 1000V 40A SP1 Microsemi Corporation |
2,904 | - |
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POWER MOS 8™ | SP1 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 40A (Tc) | 10V | 216mOhm @ 33A, 10V | 5V @ 2.5mA | 570 nC @ 10 V | ±30V | 14800 pF @ 25 V | - | 657W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SP1 |
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APTC60DAM24CT1GMOSFET N-CH 600V 95A SP4 Microsemi Corporation |
2,030 | - |
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- |
CoolMOS™ | SP4 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 95A (Tc) | 10V | 24mOhm @ 47.5A, 10V | 3.9V @ 5mA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 14400 pF @ 25 V | - | 462W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SP4 |
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APTM20UM09SGMOSFET N-CH 200V 195A MODULE Microsemi Corporation |
2,148 | - |
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Tabla de datos |
- | J3 Module | Bulk | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 195A (Tc) | 10V | 9mOhm @ 74.5A, 10V | 5V @ 4mA | 217 nC @ 10 V | ±30V | 12300 pF @ 25 V | - | 780W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | Module |
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