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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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FQPF9N50MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F Fairchild Semiconductor |
32,000 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 5.3A (Tc) | 10V | 730mOhm @ 2.65A, 10V | 5V @ 250µA | 36 nC @ 10 V | ±30V | 1450 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
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RFP15N05LMOSFET N-CH 50V 15A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
20,443 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 50 V | 15A (Tc) | - | 140mOhm @ 15A, 5V | 2V @ 250µA | - | ±10V | 900 pF @ 25 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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HUFA75842P3MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
6,317 | - |
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Tabla de datos |
UltraFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 43A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 43A, 10V | 4V @ 250µA | 175 nC @ 20 V | ±20V | 2730 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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HUF75545S3MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK Fairchild Semiconductor |
3,206 | - |
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Tabla de datos |
UltraFET™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 75A (Tc) | 10V | 10mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 235 nC @ 20 V | ±20V | 3750 pF @ 25 V | - | 270W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
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IRF654BFP001N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
2,935 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 21A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 10.5A, 10V | 4V @ 250µA | 123 nC @ 10 V | ±30V | 3400 pF @ 25 V | - | 156W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
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FDPF7N50UMOSFET N-CH 500V 5A TO220F Fairchild Semiconductor |
321,595 | - |
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Tabla de datos |
UniFET™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 5A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V | 5V @ 250µA | 16.6 nC @ 10 V | ±30V | 940 pF @ 25 V | - | 39W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
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FDMS8660ASMOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN Fairchild Semiconductor |
132,816 | - |
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Tabla de datos |
PowerTrench® | 8-PowerTDFN | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 28A (Ta), 49A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.1mOhm @ 28A, 10V | 3V @ 1mA | 83 nC @ 10 V | ±20V | 5865 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
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NDS9435P-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
20,000 | - |
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Tabla de datos |
SI9xxx | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 5.3A | - | - | - | - | - | - | - | 2W | - | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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RF1S50N06SM9AN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
9,898 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 50A (Tc) | 10V | 22mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 150 nC @ 20 V | ±20V | 2020 pF @ 25 V | - | 131W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AB |
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ISL9N306AD3N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
5,400 | - |
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Tabla de datos |
UltraFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 50A, 10V | 3V @ 250µA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 3400 pF @ 15 V | - | 125W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
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