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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BS170-D26ZSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Fairchild Semiconductor |
128,646 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 500mA (Ta) | 10V | 5Ohm @ 200mA, 10V | 3V @ 1mA | - | ±20V | 40 pF @ 10 V | - | 830mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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5HP01M-TL-E-FSMOSFET P-CH 50V 0.07A MCP3 Fairchild Semiconductor |
45,000 | - |
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- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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FDG314PMOSFET P-CH 25V 650MA SC88 Fairchild Semiconductor |
335,960 | - |
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Tabla de datos |
- | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 650mA (Ta) | 2.7V, 4.5V | 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.5 nC @ 4.5 V | ±8V | 63 pF @ 10 V | - | 750mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SC-88 (SC-70-6) |
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SSP1N60AN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
5,115 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1A (Tc) | 10V | 12Ohm @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | 11 nC @ 10 V | ±30V | 190 pF @ 25 V | - | 34W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
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IRFU310BTUN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
99,810 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 1.7A (Tc) | 10V | 3.4Ohm @ 850mA,10V | 4V @ 250µA | 10 nC @ 10 V | ±30V | 330 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 26W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251 (IPAK) |
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SSU1N60BTUN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
25,769 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 900mA (Tc) | 10V | 12Ohm @ 450mA, 10V | 4V @ 250µA | 7.7 nC @ 10 V | ±30V | 215 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
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IRFI614BTUFP001N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
3,000 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 2.8A (Tc) | 10V | 2Ohm @ 1.4A, 10V | 4V @ 250µA | 10.5 nC @ 10 V | ±30V | 275 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
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IRFR310BTFN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
2,215 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 1.7A (Tc) | 10V | 3.4Ohm @ 850mA,10V | 4V @ 250µA | 10 nC @ 10 V | ±30V | 330 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 26W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
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SFR9214TFP-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
49,206 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 1.53A (Tc) | 10V | 4Ohm @ 770mA, 10V | 4V @ 250µA | 11 nC @ 10 V | ±30V | 295 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 19W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
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SI3442DVMOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6 Fairchild Semiconductor |
32,796 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.1A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 60mOhm @ 4.1A, 4.5V | 1V @ 250µA | 14 nC @ 4.5 V | 8V | 365 pF @ 10 V | - | 1.6W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SuperSOT™-6 |
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