Hola!! Ahora
+8619886240609(Alice)
+8619886240609(Alice)
Mi cuenta
FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT10M09LVFRGMOSFET N-CH 100V 100A TO264 Microchip Technology |
3,848 | - |
|
Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 100A (Tc) | - | 9mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 2.5mA | 350 nC @ 10 V | - | 9875 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
APT10078SLLGMOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Microchip Technology |
3,260 | - |
|
Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 14A (Tc) | 10V | 780mOhm @ 7A, 10V | 5V @ 1mA | 95 nC @ 10 V | ±30V | 2525 pF @ 25 V | - | 403W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
|
APT8030LVFRGMOSFET N-CH 800V 27A TO264 Microchip Technology |
2,758 | - |
|
Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 27A (Tc) | - | 300mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5mA | 510 nC @ 10 V | - | 7900 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
|
APT1201R4SFLLGMOSFET N-CH 1200V 9A D3PAK Microchip Technology |
2,782 | - |
|
Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 9A (Tc) | - | 1.4Ohm @ 4.5A, 10V | 5V @ 1mA | 120 nC @ 10 V | - | 2500 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
APT6013B2LLGMOSFET N-CH 600V 43A T-MAX Microchip Technology |
2,875 | - |
|
Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 43A (Tc) | - | 130mOhm @ 21.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 130 nC @ 10 V | - | 5630 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT6013LLLGMOSFET N-CH 600V 43A TO264 Microchip Technology |
4,032 | - |
|
Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 43A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 21.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 5630 pF @ 25 V | - | 565W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
|
APT12080LVRGMOSFET N-CH 1200V 16A TO264 Microchip Technology |
2,962 | - |
|
- |
POWER MOS V® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 16A (Tc) | 10V | 800mOhm @ 8A, 10V | 4V @ 2.5mA | 485 nC @ 10 V | ±30V | 7800 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 (L) |
|
|
APT56F60B2MOSFET N-CH 600V 60A T-MAX Microchip Technology |
4,969 | - |
|
Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 60A (Tc) | 10V | 110mOhm @ 28A, 10V | 5V @ 2.5mA | 280 nC @ 10 V | ±30V | 11300 pF @ 25 V | - | 1040W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT10050LVFRGMOSFET N-CH 1000V 21A TO264 Microchip Technology |
3,337 | - |
|
Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 21A (Tc) | - | 500mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5mA | 500 nC @ 10 V | - | 7900 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
|
APT10050B2VFRGMOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX Microchip Technology |
4,373 | - |
|
Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 21A (Tc) | - | 500mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5mA | 500 nC @ 10 V | - | 7900 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
- Envío rápido La puerta rápida y convenienteEntrega a domicilio.
- Seguridad de pago Más de 5 diferentes métodos de pago seguro.
- Estricto Control de calidad 365 días de servicio post-venta y garantía
- Simple y profesional Soluciones de adquisición electrónica integral.
