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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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APT26F120B2MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX Microchip Technology |
2,899 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 27A (Tc) | 10V | 650mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 300 nC @ 10 V | ±30V | 9670 pF @ 25 V | - | 1135W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ |
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APT26F120LMOSFET N-CH 1200V 27A TO264 Microchip Technology |
3,581 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 27A (Tc) | 10V | 650mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 300 nC @ 10 V | ±30V | 9670 pF @ 25 V | - | 1135W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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APT50M65LLLGMOSFET N-CH 500V 67A TO264 Microchip Technology |
4,209 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 67A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 33.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 141 nC @ 10 V | ±30V | 7010 pF @ 25 V | - | 694W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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APT1201R5BVFRGMOSFET N-CH 1200V 10A TO247 Microchip Technology |
2,486 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 10A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 285 nC @ 10 V | - | 4440 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT50M65B2FLLGMOSFET N-CH 500V 67A T-MAX Microchip Technology |
4,658 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 67A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 33.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 141 nC @ 10 V | ±30V | 7010 pF @ 25 V | - | 694W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
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APT50M65LFLLGMOSFET N-CH 500V 67A TO264 Microchip Technology |
2,542 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 67A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 33.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 141 nC @ 10 V | ±30V | 7010 pF @ 25 V | - | 694W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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APT38M50JMOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP Microchip Technology |
2,741 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 38A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 28A, 10V | 5V @ 2.5mA | 220 nC @ 10 V | ±30V | 8800 pF @ 25 V | - | 357W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT30F60JMOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP Microchip Technology |
4,168 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 31A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 21A, 10V | 5V @ 2.5mA | 215 nC @ 10 V | ±30V | 8590 pF @ 25 V | - | 355W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT30M36LLLGMOSFET N-CH 300V 84A TO264 Microchip Technology |
4,788 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 84A (Tc) | - | 36mOhm @ 42A, 10V | 5V @ 2.5mA | 115 nC @ 10 V | - | 6480 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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APT51M50JMOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP Microchip Technology |
2,999 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 51A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 37A, 10V | 5V @ 2.5mA | 290 nC @ 10 V | ±30V | 11600 pF @ 25 V | - | 480W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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